[实用新型]一种光线利用率高的光电二极管有效
| 申请号: | 202121481756.4 | 申请日: | 2021-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN214203698U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
| 发明(设计)人: | 黄海;李沐;周晓宏;毛婷 | 申请(专利权)人: | 北京敏光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0224;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 白芳仿;刘锋 |
| 地址: | 100080 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光线 利用率 光电二极管 | ||
本实用新型公开了一种光线利用率高的光电二极管,包括阴极板,所述阴极板的顶端固定连接有PN结,所述PN结内部沿轴向自下而上依次固定镶嵌有P型层、缓冲层、N型层,所述N型层的顶端居中固定连接有阳极块,所述PN结的顶端居中固定连接有第一固定筒,所述第一固定筒的上部同轴螺纹连接有第二固定筒,所述第二固定筒的上端固定连接有凸透镜。本实用新型一种光线利用率高的光电二极管实现了光电二极管灵敏度的及时调整,操作便捷,有效地提高了光电二极管的光线利用率,结构简单,制造成本低,使用起来也十分方便,实用性强,有利于产业化生产并在行业内大面积推广应用。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光线利用率高的光电二极管。
背景技术
光电二极管和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性,但在电路中它不是作整流元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件,普通二极管在反向电压作用时处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大,以便接收入射光,光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流,有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为光电流,光的强度越大,反向电流也越大,光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。因此,光电二极管是由一个PN结组成的半导体器件,具有单方向导电特性,光电二极管是在反向电压作用之下工作的,在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流,如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
传统的光电二极管不能够调节接收光线的灵敏度,导致光电二极管无法高效的利用光线,不能适应不同光照条件的环境,使用起来很不方便。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种光线利用率高的光电二极管。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种光线利用率高的光电二极管,包括阴极板,所述阴极板的顶端固定连接有PN结,所述PN结内部沿轴向自下而上依次固定镶嵌有P型层、缓冲层、N型层,所述N型层的顶端居中固定连接有阳极块,所述PN结的顶端居中固定连接有第一固定筒,所述第一固定筒的上部同轴螺纹连接有第二固定筒,所述第二固定筒的上端固定连接有凸透镜。
一种光线利用率高的光电二极管,所述凸透镜和阳极块同轴布置。
一种光线利用率高的光电二极管,所述凸透镜的直径大于阳极块的直径。
一种光线利用率高的光电二极管,所述第二固定筒的外周固定连接有防滑环。
一种光线利用率高的光电二极管,所述阴极板底端的左右两侧均固定连接有引脚。
一种光线利用率高的光电二极管,所述P型层的顶端固定连接缓冲层,所述缓冲层的顶端固定连接N型层。
一种光线利用率高的光电二极管,所述第一固定筒的内壁固定贴敷有反光膜。
一种光线利用率高的光电二极管,所述防滑环的材质为橡胶,所述PN结的材质为硅。
本实用新型一种光线利用率高的光电二极管具有如下有益效果:
本实用新型一种光线利用率高的光电二极管在阴极板上设置PN结,并在PN结上固定布置阳极块,同时布置同轴螺纹上下连接的第一固定筒、第二固定筒,并将凸透镜固定在能够升降的第二固定筒上,通过转动第二固定筒使其升降,来调整凸透镜与阳极块之间的垂直距离,使得不同光照强度的环境下都可以将光线聚集到阳极块上,实现了光电二极管的灵敏度的及时调整,操作便捷,有效地提高了光电二极管的光线利用率,结构简单,制造成本低,使用起来也十分方便,实用性强,有利于产业化生产并在行业内大面积推广应用。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





