[实用新型]一种光线利用率高的光电二极管有效
| 申请号: | 202121481756.4 | 申请日: | 2021-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN214203698U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
| 发明(设计)人: | 黄海;李沐;周晓宏;毛婷 | 申请(专利权)人: | 北京敏光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0224;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 白芳仿;刘锋 |
| 地址: | 100080 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光线 利用率 光电二极管 | ||
1.一种光线利用率高的光电二极管,包括阴极板(1),其特征在于:所述阴极板(1)的顶端固定连接有PN结(3),所述PN结(3)内部沿轴向自下而上依次固定镶嵌有P型层(4)、缓冲层(5)、N型层(6),所述N型层(6)的顶端居中固定连接有阳极块(7),所述PN结(3)的顶端居中固定连接有第一固定筒(8),所述第一固定筒(8)的上部同轴螺纹连接有第二固定筒(10),所述第二固定筒(10)的上端固定连接有凸透镜(12)。
2.根据权利要求1所述的一种光线利用率高的光电二极管,其特征在于:
所述凸透镜(12)和阳极块(7)同轴布置。
3.根据权利要求2所述的一种光线利用率高的光电二极管,其特征在于:
所述凸透镜(12)的直径大于阳极块(7)的直径。
4.根据权利要求3所述的一种光线利用率高的光电二极管,其特征在于:所述第二固定筒(10)的外周固定连接有防滑环(11)。
5.根据权利要求4所述的一种光线利用率高的光电二极管,其特征在于:所述阴极板(1)底端的左右两侧均固定连接有引脚(2)。
6.根据权利要求5所述的一种光线利用率高的光电二极管,其特征在于:所述P型层(4)的顶端固定连接缓冲层(5),所述缓冲层(5)的顶端固定连接N型层(6)。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的一种光线利用率高的光电二极管,其特征在于:所述第一固定筒(8)的内壁固定贴敷有反光膜(9)。
8.根据权利要求7所述的一种光线利用率高的光电二极管,其特征在于:所述防滑环(11)的材质为橡胶,所述PN结(3)的材质为硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京敏光科技有限公司,未经北京敏光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121481756.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种管道密封结构、注氢管路、加氢机
- 下一篇:一种钢丝绳排绳装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





