[实用新型]一种真空蒸镀机的单穴坩埚结构

说明书

本申请提供一种真空蒸镀机的单穴坩埚结构，包括一体式坩埚、X偏转线圈、电子枪、Y偏转线圈、保护挡板和导磁板，所述一体式坩埚包括上部、下部和设置在上部和下部中心位置的坩埚，上部的长和宽均大于下部的长和宽，所述X偏转线圈设置在下部的后方，电子枪设置在所述下部的正前方，Y偏转线圈有两个并且分别设置电子枪的左右两边，X偏转线圈、电子枪和两个Y偏转线圈的上表面均与上部的下表面接触，X偏转线圈位于上部的后面凸出于下部的空间内，电子枪和两个Y偏转线圈位于上部的前面凸出于下部的空间内，保护挡板与一体式坩埚的上部的后表面接触，导磁板有两个，分别分别与一体式坩埚的上部的左侧面和右侧面接触。

技术领域

本实用新型涉及真空蒸镀机技术领域，更具体地，涉及一种真空蒸镀机的单穴坩埚结构。

背景技术

真空蒸镀机为在真空条件下，通过电流加热、电子束轰击加热和离子源轰击等方式，蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化，再使气化后的粒子飞至基片表面而凝结，最后形成薄膜。真空蒸镀具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点，因此得到广泛的应用。

在真空蒸镀的加工工艺中，在真空条件下采用坩埚气化镀膜材料，坩埚包括：蒸镀腔室、设置在蒸镀腔室内的蒸镀源(source)，加热蒸镀源使蒸镀源蒸内的蒸镀材料经过加热发生汽化，以扇形的结构向上蒸发，坩埚上方具有用来承载被镀膜工件的伞状结构的镀锅，镀锅上固定有被镀膜工件，因此使得蒸镀材料分子沉积到被镀膜工件上形成镀膜。在镀膜的过程中，蒸镀材料放置在坩埚内，电子枪发出的电子束经过偏转线圈的偏转作用，使得电子束轰击在坩埚中，使得蒸镀材料熔化和蒸发。常见的坩埚结构中，偏转线圈设置在坩埚的上方，偏转线圈会受到镀膜的影响，容易损坏。

有鉴于此，本实用新型提供一种真空蒸镀机的单穴坩埚结构，能够将偏转线圈隐藏在所述单穴坩埚结构中，偏转线圈不容易损坏，并且坩埚的老化率低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种真空蒸镀机的单穴坩埚结构，能够将偏转线圈隐藏在所述单穴坩埚结构中，偏转线圈不容易损坏，并且该单穴坩埚结构的坩埚的老化率低。

本申请的真空蒸镀机的单穴坩埚结构，一方面将一体式坩埚设计成上部的长和宽均大于下部的长和宽的结构，并且将X偏转线圈、电子枪和两个Y偏转线圈均设置在一体式坩埚的上部凸出于下部的空间内，并设计有与一体式坩埚的上部的后表面固定的保护挡板，和两个与一体式坩埚的上部的左右侧面固定的导磁板，将X偏转线圈、电子枪和两个Y偏转线圈隐藏在一体式坩埚上部的下方，镀膜时偏转线圈不再受到蒸镀材料的影响，偏转线圈不易损坏；另一方面一体式坩埚的上部、下部和坩埚是一体式的，使得坩埚的老化率低。本申请人在此基础上完成了本申请。

一种真空蒸镀机的单穴坩埚结构，包括一体式坩埚1、X偏转线圈2、电子枪3、Y偏转线圈4、保护挡板5和导磁板6，所述一体式坩埚1包括上部11、下部12和设置在上部11和下部12中心位置的坩埚13，一体式坩埚1的上部11、下部12和坩埚13是一体式的，上部11的长和宽均大于下部12的长和宽，所述X偏转线圈2设置在一体式坩埚1的下部12的的后方，X偏转线圈2位于一体式坩埚1的下部12与保护挡板5之间，电子枪3设置在所述下部12的正前方，Y偏转线圈4有两个并且分别设置电子枪3的左右两边，X偏转线圈2、电子枪3和两个Y偏转线圈4的上表面均与一体式坩埚1的上部11的下表面接触，X偏转线圈2位于一体式坩埚1的上部11的后面凸出于下部12的空间内，电子枪3和两个Y偏转线圈4位于一体式坩埚1的上部11的前面凸出于下部12的空间内，保护挡板5设置在一体式坩埚1的后方并与一体式坩埚1的上部11的后表面接触，导磁板6有两个，分别设置在一体式坩埚1的左右两侧并且分别与一体式坩埚1的上部11的左侧面和右侧面接触。

在一些实施方式中，所述一体式坩埚1的上部11为正方体、长方体、梯形体中的一种，下部12为正方体或者长方体，上部11的高度小于下部12的高度。