[实用新型]一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构有效
申请号: | 202121250945.0 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN214625081U | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 罗轶;张健;郭庆霞;易斌 | 申请(专利权)人: | 北京创盈光电医疗科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/60 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 俞炯;马希超 |
地址: | 102600 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 led 芯片 封装 半成品 结构 | ||
本申请涉及LED封装领域,尤其是涉及一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构,其技术方案要点是:紫外LED芯片封装半成品包括基板,基板上开设有封装槽,紫外LED芯片放置在封装槽的槽底上;封装槽内设置有抗黄硅胶硫化剂层,抗黄硅胶硫化剂层上设置有填充在封装槽内部的原硅胶层;原硅胶层与抗黄硅胶硫化剂层经加工形成抗黄硫化硅胶层,对紫外LED芯片进行封装的同时具有一定的抗黄变性能,达到了降低LED装置由于自身封装结构的黄变而影响发出紫外光性能的可能性的目的。
技术领域
本申请涉及LED封装领域,尤其是涉及一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构。
背景技术
紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED,随着科技的发展,紫外技术用处越来越广泛;相关技术中记载的紫外LED光源通常使用塑料注塑件作为封装装置,但是塑料注塑件在紫外光的长期照射下会变黄即发生黄变现象,影响紫外LED装置所发出紫外光的性能。
实用新型内容
为了降低LED装置由于自身封装结构的黄变而影响发出紫外光性能的可能性,本申请提供一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构。
本申请提供的一种紫外LED芯片封装半成品采用如下的技术方案:
一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构,包括基板,基板上开设有封装槽,紫外LED芯片放置在封装槽的槽底上;封装槽内设置有抗黄硅胶硫化剂层,抗黄硅胶硫化剂层上设置有填充在封装槽内部的原硅胶层。
通过采用上述技术方案,当需要制成投入使用的封装成品时,将封装半成品置于烘箱内并在150℃的环境温度下烘烤3小时,在此过程中原硅胶层中的未发生硫化的硅胶分子链与抗黄硅胶硫化剂层中的抗黄硅胶硫化剂发生交联反应,硅胶分子链更多地交联成立体网状结构,使得在紫外光的照射下硅胶分子链难以生产引起黄变的自由基;当需要对LED进行封装时,直接将封装半成品置于特定环境中以制成成品的封装结构即可,降低了LED装置由于自身封装结构的黄变而影响发出紫外光性能的可能性。
优选的,抗黄硅胶硫化剂层远离原硅胶层的一侧设置有绝缘反射层,绝缘反射层设置在封装槽的槽底与槽壁上;绝缘反射层避开紫外LED芯片设置。
通过采用上述技术方案,当封装半成品制成投入使用的封装结构时,紫外LED芯片发出的光,一部分直射在被照物体上,另一部分则向周围发射;绝缘反射层用于改变紫外LED芯片向其他方向照射的光线的传播方向以使这部分光线照射在被照物体表面,并减少基板对光线的吸收。
优选的,绝缘反射层包括多个层叠分布的反射单元;每个反射单元包括低折射率层以及高折射率层,低折射率层的折射率小于高折射率层的折射率。
通过采用上述技术方案,高折射率层与低折射率层构成了布拉格反射镜的基本单元,多个反射单元构成了一个布拉格反射镜,进而获得紫外LED芯片所发出光线的强反射效果。
优选的,封装槽相对的槽壁之间的距离沿着从靠进到远离槽底的方向逐渐变大。
通过采用上述技术方案,由紫外LED芯片发出的紫外光部分照射在封装槽的槽壁上,由于封装槽的槽壁倾斜设置,进而这部分紫外光在封装槽的槽壁上发生反射并向远离紫外LED芯片的方向延伸,并逐级反射至被照物体表面上;此外,封装槽的槽壁倾斜设置,减少了封装槽的槽壁对紫外光的遮挡。
优选的,紫外LED芯片与封装槽的槽底之间设置有固定胶。
通过采用上述技术方案,抗黄硫化硅胶层对LED芯片起到一定的固定作用,固定胶则用于使LED芯片更加稳固地固定在基板上。
一种紫外LED芯片封装结构,是由一种紫外LED芯片封装半成品制成的封装结构;封装结构包括基板,基板上开设有封装槽,紫外LED芯片放置在封装槽的槽底上;封装槽内部固定填充有抗黄硫化硅胶层,抗黄硫化硅胶层覆盖在紫外LED芯片上。
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