[实用新型]一种抗强电磁影响的高频数据电缆有效
申请号: | 202121208240.2 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN214897807U | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 尹亮;王海滨;耿春鹏;时圣强;谢广学;龙艳辉;王晗;刘伟 | 申请(专利权)人: | 辽宁科瑞德电缆有限公司 |
主分类号: | H01B11/06 | 分类号: | H01B11/06;H01B7/24 |
代理公司: | 天津创信方达专利代理事务所(普通合伙) 12247 | 代理人: | 孟会贤 |
地址: | 110000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁 影响 高频 数据 电缆 | ||
本实用新型公开了一种抗强电磁影响的高频数据电缆,属于电缆技术领域,包括填料层,所述填料层一侧呈圆周阵列开设有多个嵌入槽,所述嵌入槽内部设置有屏蔽抗磁机构;所述屏蔽抗磁机构包括导体,所述导体外部设置有绝缘层,所述绝缘层外部连接有同轴屏蔽层,所述同轴屏蔽层外部设置有内护套层,所述填料层外部套设有第一总屏蔽层。本实用新型通过屏蔽抗磁机构,同轴屏蔽层对导体起到第一层屏蔽的作用,抗磁半导体电层位于第一总屏蔽层和第二总屏蔽层之间,从而可以增加其之间的抗强电磁效果,由内到外起到抗强电磁效果,减少安装难度和减少整体费用,更加省时省力,方便快捷,实用性更好。
技术领域
本实用新型涉及电缆技术领域,具体涉及一种抗强电磁影响的高频数据电缆。
背景技术
现在高频数据传输电缆,由于其传输时的频率高,因此当外部电磁场干扰强烈时数据电缆的数据传输会受到很大的干扰。严重时数据无法传输。现在的数据电缆在有电磁场影响的环境下使用时会增加屏蔽层。但是普通的屏蔽层只能对抗较低强度的电磁场影响。在有强磁场的特殊环境下还是无法使用。因此数据传输电缆只能远离强电磁场环境,或者在电缆外在额外增加电磁防护的相关措施来解决。
但是在实际使用过程中,如一般的数据电缆需要避开强电磁环境,或者单独在电缆外增加电磁防护的措施,这样对于电缆的使用受到限制,单独增加防护措施会极大增加成本,并且会增加空间使用光缆替代,首先要增加与之相匹配的光电转换器,增加光电转换器成本很高,且占用很大空间,其次光缆只能固定铺设,不适合移动,实用性差。
实用新型内容
为此,本实用新型实施例提供一种抗强电磁影响的高频数据电缆,以解决现有技术中由于数据电缆需要避开强电磁环境,或者单独在电缆外增加电磁防护的措施,这样对于电缆的使用受到限制而导致的单独增加防护措施会极大增加成本,并且会增加空间使用光缆替代,首先要增加与之相匹配的光电转换器,增加光电转换器成本很高,且占用很大空间,其次光缆只能固定铺设,不适合移动,实用性差的问题。
为了实现上述目的,本实用新型实施例提供如下技术方案:一种抗强电磁影响的高频数据电缆,包括填料层,所述填料层一侧呈圆周阵列开设有多个嵌入槽,所述嵌入槽内部设置有屏蔽抗磁机构;
所述屏蔽抗磁机构包括导体,所述导体外部设置有绝缘层,所述绝缘层外部连接有同轴屏蔽层,所述同轴屏蔽层外部设置有内护套层,所述填料层外部套设有第一总屏蔽层,所述第一总屏蔽层外部设置有抗磁半导电层,所述抗磁半导电层外部套设有第二总屏蔽层。
进一步地,所述导体与绝缘层之间通过挤出工艺进行覆盖连接,所述导体由铜材质制成。
进一步地,所述同轴屏蔽层与绝缘层之间固定连接,所述同轴屏蔽层采用双层斜包铜丝屏蔽。
进一步地,所述第一总屏蔽层和第二总屏蔽层均采用双层铜带绕包工艺制成。
进一步地,所述抗磁半导电层与第二总屏蔽层之间固定连接,所述抗磁半导电层由抗磁性半导电聚烯烃材料制成。
进一步地,所述第二总屏蔽呈外部设置有防护层,所述防护层外部呈圆周阵列设置有多个横向纽块,所述横向纽块一侧连接有连接块,所述连接块顶端设置有耐磨层。
进一步地,所述横向纽块与连接块之间固定连接,所述耐磨层外部呈圆周阵列设置有多个缓冲条。
本实用新型实施例具有如下优点:
1、通过屏蔽抗磁机构,同轴屏蔽层对导体起到第一层屏蔽的作用,抗磁半导体电层位于第一总屏蔽层和第二总屏蔽层之间,从而可以增加其之间的抗强电磁效果,由内到外起到抗强电磁效果,有效的保护了线缆,采用这种数据电缆,可以取消电缆外部再单独增加屏蔽防护,从而减少安装难度和减少整体费用,更加省时省力,方便快捷,实用性更好;
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