[实用新型]一种高出光UVC-LED封装器件有效
申请号: | 202121020598.2 | 申请日: | 2021-05-13 |
公开(公告)号: | CN214477532U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 至芯半导体(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人: | 彭随丽 |
地址: | 311200 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高出光 uvc led 封装 器件 | ||
本实用新型公开了一种高出光UVC‑LED封装器件,包括:陶瓷基板,陶瓷基板一侧焊接有电镀围板,电镀围板为以陶瓷基板中心点为中心的筒状结构;陶瓷基板的另一侧嵌有两个根据陶瓷基板中心线对称放置的芯片引脚;两个芯片引脚之间还设置有散热引脚,散热引脚嵌入在陶瓷基板的中心位置。UVC芯片和两个焊接盘,UVC芯片设置于陶瓷基板的中心位置,与电镀围板位于同一侧;两个焊接盘一端焊接于陶瓷基板,另一端分别焊接于UVC芯片的两极。透镜,透镜设置于电镀围板远离陶瓷基板的一端;电镀围板的内壁具有45度角的倾斜结构,可以将UVC芯片侧面发出的光线反射到透镜处,提高了光线利用率。
技术领域
本实用新型涉及LED封装技术领域,具体涉及一种高出光UVC-LED封装器件。
背景技术
生活中对细菌杀灭处理越来越重要,UVC-LED广泛应用于杀菌领域,杀菌在相同时间内所需的杀菌剂量,UVC辐射功率直接影响杀菌速度。现有市场普遍采用的UVC芯片封装样式,对UVC芯片侧面光线的利用率不高,从而降低了UVC封装光源的整体辐射功率。提升UVC芯片侧面光线的利用也处在了急需解决的问题。
现有UVC灯珠,是在氮化铝陶瓷基板电镀围坝支架上面共晶UVC芯片,其围坝内壁采用垂直结构,UVC芯片侧面光线垂直照射支架,大部分深紫外光线形成在支电镀围坝架内部相向反射,不能反射出杯口,从而造成UVC能量的损耗;UVC芯片侧面距离支架杯口有一定距离,特别是小尺寸UVC芯片,UVC芯片能量距离衰减比较明显,照射到支架杯口的深紫外能量也相应减弱,造成支架反射出的能量也相应减弱。
实用新型内容
本实用新型的目的在于解决上述背景技术中的至少一个问题,提供一种高出光UVC-LED封装器件,具体实施方式如下:
本实用新型提出一种高出光UVC-LED封装器件,包括:
陶瓷基板,所述陶瓷基板一侧焊接有电镀围板,所述电镀围板为以所述陶瓷基板中心点为中心的筒状结构;所述陶瓷基板的另一侧嵌有两个根据所述陶瓷基板中心线对称放置的芯片引脚;所述两个芯片引脚之间还设置有散热引脚,所述散热引脚嵌入在所述陶瓷基板的中心位置。
UVC芯片和两个焊接盘,所述UVC芯片设置于所述陶瓷基板的中心位置,与所述电镀围板位于同一侧;所述两个焊接盘一端焊接于所述陶瓷基板,另一端分别焊接于所述UVC芯片的两极。
透镜,所述透镜设置于所述电镀围板远离所述陶瓷基板的一端。
进一步的,陶瓷基板为氮化铝与氧化铝一体化形成。
进一步的,UVC芯片波长为200-280nm。
进一步的,焊接盘为倒装结构,采用厚度为3.0μm的金锡合金材质制成。
进一步的,电镀围板与所述陶瓷基板焊接的一端其内壁为45度角倾斜的倒锥形结构,所述电镀围板的另一端为用于放置所述透镜的台阶形的下凹结构,所述电镀围板内壁的倒锥形结构部分的最大直径端与所述电镀围板的台阶形的下凹结构相连。
进一步的,透镜由石英与蓝宝石材质制成,其形状为平面透镜或角度透镜。
进一步的,电镀围板、所述芯片引脚和所述散热引脚均采用在镀铜层上镀有镍、金层或镍、钯、金层;其中镍层厚大于等于3um厚,钯层厚大于等于0.05um,金层厚大于等于0.05um。
进一步的,陶瓷基板内部具有通孔结构,所述两个芯片引脚通过该通孔结构分别与所述两个焊接盘用导电金属连接。
本实用新型实施例提供的技术方案具有一下增益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于至芯半导体(杭州)有限公司,未经至芯半导体(杭州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121020598.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种蓄电池排氢气装置
- 下一篇:一种多功能微型断路器附件