[实用新型]具有复合结构的硅微针有效
| 申请号： | 202120900036.0 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN214971131U | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 邹帅;苏晓东;程微;倪孟飞 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | A61M37/00 | 分类号： | A61M37/00 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215006*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 复合 结构 硅微针 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有复合结构的硅微针，其特征在于，所述硅微针包括硅基底及形成于硅基底表面上复合结构，所述复合结构包括若干微米针状结构及若干次级微结构，所述微米针状结构阵列分布于硅基底表面上，所述次级微结构形成于微米针状结构的顶部、侧壁及硅基底上未被微米针状结构覆盖的区域。
2.根据权利要求1所述的具有复合结构的硅微针，其特征在于，所述微米针状结构之间的间距为100μm～1000μm，微米针状结构的高度为50μm～500μm。
3.根据权利要求1所述的具有复合结构的硅微针，其特征在于，所述次级微结构为顶端尖锐的类金字塔状结构。
4.根据权利要求3所述的具有复合结构的硅微针，其特征在于，所述类金字塔状结构的高度为500nm～5000nm。
5.根据权利要求1所述的具有复合结构的硅微针，其特征在于，所述次级微结构为顶端圆滑的纳米结构。
6.根据权利要求5所述的具有复合结构的硅微针，其特征在于，所述纳米结构的高度为100nm～1000nm。
7.根据权利要求1所述的具有复合结构的硅微针，其特征在于，所述硅基底为(100)晶向的单晶硅片，厚度为500μm～1500μm。
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