[实用新型]一种新型双面异质结太阳电池的封装结构

说明书

本实用新型涉及一种新型双面异质结太阳电池的封装结构，封装结构包括自下而上设置的带可导电TCO层的异质结电池元件、导电材料、金属线、膜、封装玻璃。导电材料填充在TCO层表面起伏不平的金字塔结构和金属线之间，与金属线和TCO层均能形成良好的面接触；导电材料在与金属线同一方向上是连续的，即导电材料在金属线下方，从电池一端的边缘连续布置到另一端。金属线选用圆形或多边形截面，凸出布置在异质结电池可导电TCO层表面的导电材料上，所述的膜将金属线固定在电池片表面上。与传统丝网印刷技术相比，减少了光损耗，能更有效的收集电流。本实用新型中所述的一种新型双面异质结太阳电池的封装结构既增加了HIT电池的发电效率，又降低了原料成本。

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池技术领域，具体涉及一种新型双面异质结太阳电池的封装结构。

背景技术

相较于传统的太阳能电池而言，异质结(HIT或HJT，以下简称HIT)电池创新的采用单晶硅衬底和非晶薄膜异质结的结构，其在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的做法，让HIT电池兼具了晶体硅与薄膜电池的优势。HIT电池具有结构简单、稳定性高、电池成本低、工艺温度低、光转换效率高、温度特性好、双面发电等众多的特点，HIT电池逐渐成为电池行业从业者公认的未来电池技术终极解决方案。

但是异质结太阳能电池一般采用树脂型低温固化银浆作为金属电极，电阻率高，导电性差，为了提高导电性，需要提高金属电极的宽度或者高度，导致电池的银浆耗量增加。单片耗银量是以往PERC电池耗银量的2.62倍。而随着HIT技术的不断更新，单片耗银量有望逐渐减少。在高温银浆和低温银浆未来每片的用量方面，高温银浆从2011年单片150毫克的用量经过这几年的发展已经降至70～80mg/片，未来下降的空间基本不大。而HIT目前每片用量大概在300mg，未来目标在一至两年内降至单片200mg甚至以下，预计在2025 年单片用低温银浆量在150毫克。未来HIT电池朝着大硅片、多主栅的时代发展，低温银浆的成本依旧很高。

实用新型内容

光伏硅片为降低反射率表面会制绒，表面会形成金字塔结构。异质结电池的TCO层会在金字塔表面形成几十到几百纳米的导电层，不会改变金字塔花纹。金字塔花纹的表面导致金属线和TCO层的接触是点接触而导致导电效率受到限制。有些技术使用涂层或者导电胶粘结，也只考虑了将导线粘结而未考虑接触的导电有效性。

针对现有技术的不足，本实用新型提供一种新型异质结太阳能电池的封装结构，技术方案具体如下：

所述的封装结构包括自下而上设置的带可导电TCO层的异质结电池元件、导电材料、金属线、膜、封装玻璃。其中：

所述导电材料填充在TCO层表面起伏不平的金字塔结构和金属线之间，与金属线和TCO 层均能形成良好的面接触。

所述导电材料在与金属线同一方向上是连续的，即导电材料在金属线下方，从电池一端的边缘连续布置到另一端。在与金属线垂直方向上，可以是连续的，也可以是非连续的。

所述的膜可以是单层或多层结构，具有固定金属线的作用，即由膜将金属线固定在电池表面。

优选地，所述金属线选用圆形或多边形截面，凸出布置在异质结电池可导电TCO层表面的导电材料上方。

优选地，所述金属线可以为铜丝、铝丝、银丝、或者含铜、铝、银的合金线。金属线截面为圆形或者多边形，直径或外切圆直径为5μm～100μm。

优选地，所述导电材料的方阻≤1000Ω/□，其可以为高分子材料，也可以为高分子材料基材和无机材料的混合物，厚度5-50μm。