[实用新型]一种用于5G和高速应用的低容TVS

说明书

本实用新型提出一种用于5G和高速应用的低容TVS及制造方法，该TVS包括：衬底层，该衬底层为P型；P阱区域，该P阱区域形成于衬底层上；N阱区域，该N阱区域形成于衬底层上；N+区域，该N+区域形成于P阱区域及N阱区域中；P+区域，该P+区域形成于P阱区域及N阱区域中；第一绝缘介质层，该第一绝缘介质层形成于衬底层表面；接触孔，该接触孔开设于第一绝缘介质层中，并位于N+区域及P+区域；第一层金属，该一层金属形成于第一绝缘介质层上；第二绝缘介质层，该第二绝缘介质层形成于第一层金属上；通孔，该通孔开设于第二绝缘介质层中；第二层金属，该第二层金属形成于第二绝缘介质层上；钝化层，该钝化层形成于第二层金属上。

技术领域

本实用新型涉及瞬态抑制二极管，尤其涉及一种用于5G和高速应用的低容TVS。

背景技术

低电容TVS二极管用于保护敏感电子设备，使其免受高浪涌的侵害，成为5G通讯基站、高速以太网通信线路、工业应用中高速接口、汽车电子产品中理想型的电路被动保护元器件。同时，由于低电容瞬态TVS二极管自身独有的低漏电流优势，在高速通信领域得到了广泛的应用，有助于提高车载电子的CAN系统、安防监控设备、智能家居、物联网传感器等产品的电源效率，并延长运作时间。目前常用的低电容TVS二极管其残压并没有太大优势，残压过大会导致功耗大，甚至有可能会损坏被保护的电路或者芯片，因此需要设计一种超低电压同时超低残压的TVS二极管。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于5G和高速应用的低容TVS及制造方法，以提高响应速度，更好地应用于5G和高速环境中。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种用于5G和高速应用的低容TVS，包括：

衬底层，该衬底层为P型；

P阱区域，该P阱区域形成于衬底层上；

N阱区域，该N阱区域形成于衬底层上，并与P阱区域相邻；

N+区域，该N+区域形成于P阱区域及N阱区域中；

P+区域，该P+区域形成于P阱区域及N阱区域中，并与N+区域相邻；

第一绝缘介质层，该第一绝缘介质层形成于衬底层表面；

接触孔，该接触孔开设于第一绝缘介质层中，并位于N+区域及P+区域，接触孔内设有钨塞；

第一层金属，该一层金属形成于第一绝缘介质层上；

第二绝缘介质层，该第二绝缘介质层形成于第一层金属上；

通孔，该通孔开设于第二绝缘介质层中，通孔内设有钨塞；

第二层金属，该第二层金属形成于第二绝缘介质层上；

钝化层，该钝化层形成于第二层金属上，钝化层中具有键合点。

进一步，衬底层的电阻率为50ohm·cm以上。

上述用于5G和高速应用的低容TVS的制造方法，包括：

1)准备P型衬底层，该P型衬底层的电阻率在50ohm.cm以上；

2)在P型衬底片上利用光刻刻蚀注入扩散形成P阱：注入硼元素，浓度为E12～E15，扩散温度为1000～1150℃；

3)在P型衬底片上利用光刻刻蚀注入扩散形成N阱：注入磷元素，浓度为E12～E15，扩散温度为1000～1150℃；

4)在P阱和N阱中利用光刻刻蚀注入扩散形成N+：注入磷元素，浓度为E12～E15，扩散温度为850～1100℃；