[实用新型]一种用于5G和高速应用的低容TVS有效
| 申请号： | 202120615149.6 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN214313216U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陆亚斌;吴昊;王成 | 申请（专利权）人： | 傲威半导体无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高速 应用 tvs | ||
【权利要求书】：
1.一种用于5G和高速应用的低容TVS，其特征在于，包括：
衬底层，该衬底层为P型；
P阱区域，该P阱区域形成于衬底层上；
N阱区域，该N阱区域形成于衬底层上，并与P阱区域相邻；
N+区域，该N+区域形成于P阱区域及N阱区域中；
P+区域，该P+区域形成于P阱区域及N阱区域中，并与N+区域相邻；
第一绝缘介质层，该第一绝缘介质层形成于衬底层表面；
接触孔，该接触孔开设于第一绝缘介质层中，并位于N+区域及P+区域，接触孔内设有钨塞；
第一层金属，该一层金属形成于第一绝缘介质层上；
第二绝缘介质层，该第二绝缘介质层形成于第一层金属上；
通孔，该通孔开设于第二绝缘介质层中，通孔内设有钨塞；
第二层金属，该第二层金属形成于第二绝缘介质层上；
钝化层，该钝化层形成于第二层金属上，钝化层中具有键合点。
2.根据权利要求1所述的一种用于5G和高速应用的低容TVS，其特征在于：
衬底层的电阻率为50ohm·cm以上。
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