[实用新型]一种晶圆载盘有效
申请号: | 202120558679.1 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN214753672U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 刘仁杰;伍三忠;胡承;苏凯 | 申请(专利权)人: | 上海沪竹尚弘半导体科技有限公司;浙江中科尚弘离子装备工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 | 代理人: | 徐鸣 |
地址: | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆载盘 | ||
本实用新型涉及一种晶圆载盘,具体涉及半导体技术领域,包括一种晶圆载盘,其特征在于,包括:载盘,硅片放置部,固定部,挡圈。载盘为一个规则的圆形盘状物,载盘上有至少两个圆形的硅片放置部,每个硅片放置部的一端都有一个固定部,硅片放置部上方有挡圈,硅片放置在挡圈内,挡圈呈半包围状态,本实用新型能够有效的搭载12寸晶圆。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种晶圆载盘。
背景技术
随着半导体技术的发展,对工艺参数的要求越来越严格。先进技术设备趋向于12寸,但是第三代半导体材料GaN和GaAs等技术大部分还停留在6,8寸,且6,8寸的机台性能还停留在第一代半导体技术,无法满足要求。
6,8寸的设备达不到目前的先进工艺的要求,且对12寸机台的机构的改动,需要花费大量时间和金钱。
和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
实用新型内容
本实用新型目的之一是解决现有技术中晶圆载盘的不能有效的对12寸晶圆有效的进行搭载的技术问题。
为达到上述目的之一,本实用新型采用以下方案:一种晶圆载盘,其特征在于,包括:载盘,硅片放置部,固定部,挡圈。
载盘为一个规则的圆形盘状物,载盘上有至少两个硅片放置部,每个硅片放置部都有一个固定部,硅片放置部上方有挡圈;硅片放置在挡圈内,挡圈呈半包围状态,硅片放置在挡圈内,挡圈呈半包围状态。
优选地,载盘厚度为1mm,可以有效的降低组件重量,且达到设备的安装适配要求。
优选地,硅片放置部厚度为0.8mm,可以有效的降低组件重量,且达到设备的安装适配要求。
优选地,固定部下方为中空结构,能够增加载盘横向的结构强度。
优选地,固定部中间有一开口,用于将晶圆载盘与加工设备进行配合。
优选地,固定部分均匀排布有定位孔与螺丝孔,用于将载盘连接至设备上。
优选地,挡圈内圈为向内的斜面,用于将晶圆卡在挡圈内,防止造成晶圆脱落。
优选地,硅片放置部为环形阵列,使晶圆载盘在旋转后,挡圈的开口始终朝一个方向。
优选地,载盘的一端有一个缺口,这个缺口用于与设备进行配合,达到的定位效果。
优选地,硅片放置部为三段圆弧构成的圆形,三段圆弧的开口能够通过其有效地将晶圆取出,也能够防止晶圆与载盘贴合后中间形成一个密闭的气室,导致晶圆取出困难。
本实用新型有益效果:本实用新型通过改变晶片放置部的尺寸结构,有效解决了现有技术中的现有载盘不能有效的对12寸晶圆有效进行搭载的技术问题。
附图说明
图1是本实用新型实施例一种晶圆载盘的边框主视图示意图。
图2是本实用新型实施例一种晶圆载盘的边框左视图示意图。
图3是本实用新型实施例一种晶圆载盘的挡圈截面示意图。
图4是本实用新型实施例一种晶圆载盘的固定部放大示意图。
图5是本实用新型实施例一种晶圆载盘的固定部剖视图示意图。
1、载盘 2、硅片放置部 3、固定部
4、挡圈 5、开口 6、定位孔
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造