[实用新型]气浮式吸取装置有效
申请号: | 202120528252.7 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN214279940U | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 郭永聪 | 申请(专利权)人: | 上利新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H05K13/04 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气浮式 吸取 装置 | ||
1.一种气浮式吸取装置,其特征在于,包括:
底座,形成有供气道,且所述供气道通过开口连通于外部;
吸嘴,穿设于所述供气道内且一部分通过所述开口露出,所述开口的壁面与所述吸嘴间具有间隙,且所述吸嘴内形成有抽气道;
供气单元,连通于所述供气道;以及
抽气单元,连通于所述抽气道。
2.如权利要求1所述的气浮式吸取装置,其特征在于,所述底座包括外缘部,所述外缘部配置于所述开口的外侧,且所述底座从所述开口至所述外缘部的内径逐渐增大。
3.如权利要求2所述的气浮式吸取装置,其特征在于,所述外缘部具有端面,所述端面的法向平行于所述供气道的延伸方向,所述底座还包括倾斜部,所述倾斜部连接于所述开口以及所述外缘部之间且具有倾斜面,且所述倾斜面的法向相对于所述供气道的延伸方向倾斜。
4.如权利要求3所述的气浮式吸取装置,其特征在于,所述吸嘴具有吸附面,且所述吸附面与所述端面对齐。
5.如权利要求3所述的气浮式吸取装置,其特征在于,所述外缘部上形成有导引槽,且所述导引槽相对于所述端面凹陷。
6.如权利要求1所述的气浮式吸取装置,其特征在于,所述吸嘴包括身部以及吸附部,所述吸附部固设于所述身部且相对于所述底座突出,且所述吸附部的刚性小于所述身部的刚性。
7.如权利要求6所述的气浮式吸取装置,其特征在于,所述吸附部包括连接部以及接触部,所述连接部连接于所述身部以及所述接触部之间,且所述接触部的外径小于所述连接部的外径。
8.如权利要求1所述的气浮式吸取装置,其特征在于,还包括控制单元,所述控制单元电性连接于所述供气单元以及所述抽气单元,当所述气浮式吸取装置通过所述抽气单元以及所述吸嘴吸附物体时,所述控制单元控制所述供气单元停止供气至所述供气道。
9.如权利要求1所述的气浮式吸取装置,其特征在于,所述底座还包括固持部,所述固持部形成有固持孔,所述固持孔连通于所述供气道,所述吸嘴包括身部,且所述固持孔的内径与所述身部的外径相等。
10.如权利要求1所述的气浮式吸取装置,其特征在于,所述供气单元包括泵以及气阀,且所述泵通过所述气阀连接于所述供气道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造