[实用新型]芯片供电的测试装置有效

专利信息
申请号: 202120485111.1 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN215067091U 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 张腾;杨晓君;柳胜杰;孙瑛琪;李晶晶 申请(专利权)人: 海光信息技术股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R1/36
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 孙峰芳
地址: 300384 天津市南开区华苑产*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 芯片 供电 测试 装置
【说明书】:

实用新型提供一种芯片供电的测试装置,该测试装置包括:测试板基板以及位于测试板基板上的测试电路,所述测试电路包括多个测试通道以及多路拨码开关,其中每个测试通道连接于芯片供电单元输出的一路直流工作电压的正极和负极之间,且各测试通道经由多路拨码开关输入驱动信号,各测试通道分别用于测试一路直流工作电压的负载特性;所述多路拨码开关用于连接或断开各测试通道输入的驱动信号。本实用新型提供的测试装置能够有效提升负载的功耗以及变化速率。

技术领域

本实用新型涉及电源测试技术领域,尤其涉及一种芯片供电的测试装置。

背景技术

芯片的供电情况直接影响芯片的工作状态,特别是服务器主板上的处理器芯片,负载功耗大、且变化速率要求高。为了验证芯片的供电设计是否合理,必须有一套对应的测试装置。目前市场上的负载测试装置只能对常规的芯片供电进行测试,仅满足对供电负载功耗、变化速率要求不高的场景。对于处理器芯片的负载测试,市场上的负载测试装置还远不能够满足其要求。

实用新型内容

本实用新型提供一种芯片供电的测试装置,该测试装置能够有效提升负载的功耗以及变化速率,使其满足芯片高负载和快速的负载变化速率要求。

本实用新型提供一种芯片供电的测试装置,所述测试装置用于验证芯片供电单元的负载特性,所述芯片供电单元被配置为输出多路不同的直流工作电压,所述测试装置包括:

测试板基板;

位于所述测试板基板上的测试电路,所述测试电路包括多个测试通道以及多路拨码开关,其中每个测试通道连接于所述芯片供电单元输出的一路直流工作电压的正极和负极之间,且各测试通道经由所述多路拨码开关输入驱动信号,各测试通道分别用于测试一路直流工作电压的负载特性;

所述多路拨码开关用于连接或断开各测试通道输入的驱动信号。

可选地,所述测试装置还包括:

外接的信号发生器,用于产生驱动信号,所述驱动信号幅值、频率、占空比以及上升和下降时间均可控。

可选地,每个测试通道包括串联的NMOS晶体管和采样电阻,所述NMOS晶体管的栅极连接有栅极驱动电阻,所述NMOS晶体管的漏极连接于直流工作电压的正极,所述NMOS晶体管的源极与所述采样电阻的一端连接,所述采样电阻的另一端与直流工作电压的负极连接,所述直流工作电压的负极接地;

所述多路拨码开关的输入端接入所述驱动信号,所述多路拨码开关的输出端分别连接至各测试通道上的NMOS晶体管的栅极驱动电阻。

可选地,每个测试通道的NMOS晶体管为一个NMOS晶体管或者多个NMOS晶体管的并联结构。

可选地,所述测试板基板上各测试通道的NMOS晶体管和采样电阻表面涂抹有散热硅胶或者粘贴散热胶垫。

可选地,所述测试板基板上设置有导热盖,所述导热盖用于将各测试通道密封,且所述导热盖与所述散热硅胶或者散热胶垫接触,以便将NMOS晶体管和采样电阻的热量传导到外界。

可选地,所述芯片供电单元设置在服务器主板基板上,所述测试电路与所述芯片供电单元之间的电连接通过所述测试板基板与所述服务器主板基板之间相对设置的触点阵列实现。

可选地,所述触点阵列为LGA封装的焊盘、PGA封装的插针或者BGA封装的焊球。

可选地,所述测试板基板的基材为FR4。

本实用新型提供的芯片供电的测试装置,通过调节测试装置驱动信号以及测试通道的数量,即可改变装置的负载能力。通过本实施例提供的测试装置,可以验证芯片供电的情形,能够对芯片的供电方案做出评估,进而确保芯片供电方案满足芯片的大功耗、高负载变化速率供电要求。

附图说明

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