[实用新型]芯片供电的测试装置有效
申请号: | 202120485111.1 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN215067091U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 张腾;杨晓君;柳胜杰;孙瑛琪;李晶晶 | 申请(专利权)人: | 海光信息技术股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R1/36 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 孙峰芳 |
地址: | 300384 天津市南开区华苑产*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 供电 测试 装置 | ||
1.一种芯片供电的测试装置,其特征在于,所述测试装置用于验证芯片供电单元的负载特性,所述芯片供电单元被配置为输出多路不同的直流工作电压,所述测试装置包括:
测试板基板;
位于所述测试板基板上的测试电路,所述测试电路包括多个测试通道以及多路拨码开关,其中每个测试通道连接于所述芯片供电单元输出的一路直流工作电压的正极和负极之间,且各测试通道经由所述多路拨码开关输入驱动信号,各测试通道分别用于测试一路直流工作电压的负载特性;
所述多路拨码开关用于连接或断开各测试通道输入的驱动信号。
2.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述测试装置还包括:
外接的信号发生器,用于产生驱动信号,所述驱动信号幅值、频率、占空比以及上升和下降时间均可控。
3.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,每个测试通道包括串联的NMOS晶体管和采样电阻,所述NMOS晶体管的栅极连接有栅极驱动电阻,所述NMOS晶体管的漏极连接于直流工作电压的正极,所述NMOS晶体管的源极与所述采样电阻的一端连接,所述采样电阻的另一端与直流工作电压的负极连接,所述直流工作电压的负极接地;
所述多路拨码开关的输入端接入所述驱动信号,所述多路拨码开关的输出端分别连接至各测试通道上的NMOS晶体管的栅极驱动电阻。
4.根据权利要求3所述的测试装置,其特征在于,每个测试通道的NMOS晶体管为一个NMOS晶体管或者多个NMOS晶体管的并联结构。
5.根据权利要求3所述的测试装置,其特征在于,所述测试板基板上各测试通道的NMOS晶体管和采样电阻表面涂抹有散热硅胶或者粘贴散热胶垫。
6.根据权利要求5所述的测试装置,其特征在于,所述测试板基板上设置有导热盖,所述导热盖用于将各测试通道密封,且所述导热盖与所述散热硅胶或者散热胶垫接触,以便将NMOS晶体管和采样电阻的热量传导到外界。
7.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述芯片供电单元设置在服务器主板基板上,所述测试电路与所述芯片供电单元之间的电连接通过所述测试板基板与所述服务器主板基板之间相对设置的触点阵列实现。
8.根据权利要求7所述的测试装置,其特征在于,所述触点阵列为LGA封装的焊盘、PGA封装的插针或者BGA封装的焊球。
9.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述测试板基板的基材为FR4。
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