[实用新型]一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层有效
申请号: | 202120341947.4 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN214203610U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 周建业 | 申请(专利权)人: | 深圳市同和光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市汇信知识产权代理有限公司 44477 | 代理人: | 赵英杰 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区新安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子束 蒸发 芯片 pad 薄膜 | ||
本实用新型公开了一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层,其技术方案是:包括管脚和薄膜,所述薄膜套设在管脚外侧,所述管脚和薄膜之间设有高温绝缘涂层,所述薄膜内部嵌设有安装组件,本实用新型的有益效果是:通过将管脚放置在薄膜内侧,接着沿着第一折痕将薄膜折叠,然后绕着管脚缠卷薄膜,薄膜将管脚上半部分包裹,直至胶水与薄膜外壁粘接,此时完成了薄膜的安装,之后在将其拆卸时,只需要沿着第二折痕按压软模,矩形塑料带的棱角将薄膜刺破,然后薄膜刺破部位向外翘起,使用者通过拉动薄膜刺破部位然后将薄膜与管脚脱离,装卸方便,提高了薄膜的装卸效率。
技术领域
本实用新型涉及PAD薄膜技术领域,具体涉及一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层。
背景技术
芯片,又称微电路、微芯片、集成电路。是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。从1930年代开始,元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的William Shockley认为是固态真空管的最可能的原料。从氧化铜到锗,再到硅,原料在1940到1950年代被系统的研究。今天,尽管元素中期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如:发光二极管,激光,太阳能电池和最高速集成电路,单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心(cores),可以控制电脑到手机到数字微波炉的一切。存储器和ASIC是其他集成电路家族的例子,对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高,但是当分散到通常以百万计的产品上,每个IC的成本最小化。IC的性能很高,因为小尺寸带来短路径,使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。这些年来,IC持续向更小的外型尺寸发展,使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量,可以降低成本和增加功能-见摩尔定律,集成电路中的晶体管数量,每两年增加一倍。总之,随着外形尺寸缩小,几乎所有的指标改善了-单位成本和开关功率消耗下降,速度提高。而其中的PAD可以解释为管脚,其安装在芯片内部。
现有技术存在以下不足:管脚在使用过程中,需要增设薄膜对管脚进行保护,由于薄膜厚度较小,且具有一定的柔软性,而为了不伤及管脚,故在装卸薄膜时需要轻手轻脚,严重降低了薄膜的装卸效率。
因此,发明一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层很有必要。
实用新型内容
为此,本实用新型提供一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层,通过将管脚放置在薄膜内侧,接着沿着第一折痕将薄膜折叠,然后绕着管脚缠卷薄膜,薄膜将管脚上半部分包裹,直至胶水与薄膜外壁粘接,此时完成了薄膜的安装,之后在将其拆卸时,只需要沿着第二折痕按压软模,矩形塑料带的棱角将薄膜刺破,然后薄膜刺破部位向外翘起,使用者通过拉动薄膜刺破部位然后将薄膜与管脚脱离,装卸方便,提高了薄膜的装卸效率,以解决管脚在使用过程中,需要增设薄膜对管脚进行保护,由于薄膜厚度较小,且具有一定的柔软性,而为了不伤及管脚,故在装卸薄膜时需要轻手轻脚,严重降低了薄膜的装卸效率的问题。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层,包括管脚和薄膜,所述薄膜套设在管脚外侧,所述管脚和薄膜之间设有高温绝缘涂层,所述薄膜内部嵌设有安装组件。
优选的,所述薄膜内侧涂有胶水,所述胶水设在高温绝缘涂层一侧。
优选的,所述薄膜上设有第一折痕,所述第一折痕设在高温绝缘涂层和胶水顶部。
优选的,所述薄膜外侧设有多个第二折痕,所述第二折痕关于管脚垂直中心线对称。
优选的,所述薄膜的长度为管脚长度的二分之一。
优选的,所述安装组件包括多个矩形塑料带,多个所述矩形塑料带均嵌设在薄膜内壁中。
优选的,所述安装组件包括多个三角形塑料带,多个所述三角形塑料带均嵌设在薄膜内壁中。
本实用新型的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造