[实用新型]一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层有效

专利信息
申请号: 202120341947.4 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN214203610U 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 周建业 申请(专利权)人: 深圳市同和光电科技有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/683
代理公司: 深圳市汇信知识产权代理有限公司 44477 代理人: 赵英杰
地址: 518000 广东省深圳市宝安区新安*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电子束 蒸发 芯片 pad 薄膜
【说明书】:

本实用新型公开了一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层,其技术方案是:包括管脚和薄膜,所述薄膜套设在管脚外侧,所述管脚和薄膜之间设有高温绝缘涂层,所述薄膜内部嵌设有安装组件,本实用新型的有益效果是:通过将管脚放置在薄膜内侧,接着沿着第一折痕将薄膜折叠,然后绕着管脚缠卷薄膜,薄膜将管脚上半部分包裹,直至胶水与薄膜外壁粘接,此时完成了薄膜的安装,之后在将其拆卸时,只需要沿着第二折痕按压软模,矩形塑料带的棱角将薄膜刺破,然后薄膜刺破部位向外翘起,使用者通过拉动薄膜刺破部位然后将薄膜与管脚脱离,装卸方便,提高了薄膜的装卸效率。

技术领域

本实用新型涉及PAD薄膜技术领域,具体涉及一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层。

背景技术

芯片,又称微电路、微芯片、集成电路。是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。从1930年代开始,元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的William Shockley认为是固态真空管的最可能的原料。从氧化铜到锗,再到硅,原料在1940到1950年代被系统的研究。今天,尽管元素中期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如:发光二极管,激光,太阳能电池和最高速集成电路,单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心(cores),可以控制电脑到手机到数字微波炉的一切。存储器和ASIC是其他集成电路家族的例子,对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高,但是当分散到通常以百万计的产品上,每个IC的成本最小化。IC的性能很高,因为小尺寸带来短路径,使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。这些年来,IC持续向更小的外型尺寸发展,使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量,可以降低成本和增加功能-见摩尔定律,集成电路中的晶体管数量,每两年增加一倍。总之,随着外形尺寸缩小,几乎所有的指标改善了-单位成本和开关功率消耗下降,速度提高。而其中的PAD可以解释为管脚,其安装在芯片内部。

现有技术存在以下不足:管脚在使用过程中,需要增设薄膜对管脚进行保护,由于薄膜厚度较小,且具有一定的柔软性,而为了不伤及管脚,故在装卸薄膜时需要轻手轻脚,严重降低了薄膜的装卸效率。

因此,发明一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层很有必要。

实用新型内容

为此,本实用新型提供一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层,通过将管脚放置在薄膜内侧,接着沿着第一折痕将薄膜折叠,然后绕着管脚缠卷薄膜,薄膜将管脚上半部分包裹,直至胶水与薄膜外壁粘接,此时完成了薄膜的安装,之后在将其拆卸时,只需要沿着第二折痕按压软模,矩形塑料带的棱角将薄膜刺破,然后薄膜刺破部位向外翘起,使用者通过拉动薄膜刺破部位然后将薄膜与管脚脱离,装卸方便,提高了薄膜的装卸效率,以解决管脚在使用过程中,需要增设薄膜对管脚进行保护,由于薄膜厚度较小,且具有一定的柔软性,而为了不伤及管脚,故在装卸薄膜时需要轻手轻脚,严重降低了薄膜的装卸效率的问题。

为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种电子束蒸发式芯片PAD薄膜层,包括管脚和薄膜,所述薄膜套设在管脚外侧,所述管脚和薄膜之间设有高温绝缘涂层,所述薄膜内部嵌设有安装组件。

优选的,所述薄膜内侧涂有胶水,所述胶水设在高温绝缘涂层一侧。

优选的,所述薄膜上设有第一折痕,所述第一折痕设在高温绝缘涂层和胶水顶部。

优选的,所述薄膜外侧设有多个第二折痕,所述第二折痕关于管脚垂直中心线对称。

优选的,所述薄膜的长度为管脚长度的二分之一。

优选的,所述安装组件包括多个矩形塑料带,多个所述矩形塑料带均嵌设在薄膜内壁中。

优选的,所述安装组件包括多个三角形塑料带,多个所述三角形塑料带均嵌设在薄膜内壁中。

本实用新型的有益效果是:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市同和光电科技有限公司,未经深圳市同和光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120341947.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top