[实用新型]一种双向焊接的贴片光敏器件有效
| 申请号: | 202120256234.8 | 申请日: | 2021-01-29 | 
| 公开(公告)号: | CN213936200U | 公开(公告)日: | 2021-08-10 | 
| 发明(设计)人: | 丁杰;彭超;黄业昌 | 申请(专利权)人: | 惠州市鑫永诚光电科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0224;H05K1/18 | 
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 王华强 | 
| 地址: | 516000 广东省惠州市仲恺*** | 国省代码: | 广东;44 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双向 焊接 光敏 器件 | ||
本实用新型揭示了一种双向焊接的贴片光敏器件,其包括本体、芯片、导线、第一引脚以及第二引脚;芯片以及导线封装于本体内,导线一端与芯片连接,另一端与第一引脚连接;第一引脚和第二引脚的一端设于本体的相对的两侧壁,第一引脚和第二引脚的另一端向着背向本体的方向延伸,且第一引脚和第二引脚靠近于本体的中间部位。本申请通过将第一引脚以及第二引脚相对设于本体的两侧壁,并向外延伸,在焊接时,可以根据具体的要求调整第一引脚以及第二引脚,使得光敏器件焊接时既可以将受光面焊接在PCB板上,也可以将底面焊接在PCB板上。
技术领域
本实用新型涉及光电器件技术领域,具体地,涉及一种双向焊接的贴片光敏器件。
背景技术
现有的贴片式光敏器件,引脚设置在光敏器件的底面,与光敏器件的受光面相对,因而在应用时只能将光敏器件的底部焊接在PCB板的底部。但是在实际使用过程中,将贴片式光敏器件焊接在PCB板上时情况多样,有些需要进行底面焊接,有些需要进行受光面焊接,现有贴片式光敏器件的结构只能实现单一底面焊接,很难满足大工业时代下高效生产的要求。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供一种双向焊接的贴片光敏器件。
本实用新型公开的一种双向焊接的贴片光敏器件包括本体、芯片、导线、第一引脚以及第二引脚;芯片以及导线封装于本体内,导线一端与芯片连接,另一端与第一引脚连接;第一引脚和第二引脚的一端设于本体的相对的两侧壁,第一引脚和第二引脚的另一端向着背向本体的方向延伸,且第一引脚和第二引脚靠近于本体的中间部位。
根据本实用新型一实施方式,第一引脚和第二引脚沿本体的长度方向向外延伸。
根据本实用新型一实施方式,第一引脚具有第一弯折结构;第二引脚具有第二弯折结构。
根据本实用新型一实施方式,第一弯折结构的弯折方向与第二弯折结构的弯折方向相同。
根据本实用新型一实施方式,第一弯折结构的弯折方向与第二弯折结构的弯折方向相背。
根据本实用新型一实施方式,第一弯折结构的纵截面为V形;第二弯折结构的纵截面为V形。
根据本实用新型一实施方式,第一弯折结构的顶点与本体的底部或顶部相平齐;第二弯折结构的顶点与本体的底部或顶部相平齐。
根据本实用新型一实施方式,其还包括支架,支架封装于本体内,并与第二引脚电连接;芯片设于支架内。
根据本实用新型一实施方式,支架具有梯形槽,芯片设于梯形槽的底部;梯形槽的槽深大于芯片的高度。
本申请的有益效果在于:通过将第一引脚以及第二引脚相对设于本体的两侧壁,并向外延伸,在焊接时,可以根据具体的要求调整第一引脚以及第二引脚,使得光敏器件焊接时既可以将受光面焊接在PCB板上,也可以将底面焊接在PCB板上。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1为实施例一中一种双向焊接的贴片光敏器件的结构示意图;
图2为实施例二中一种双向焊接的贴片光敏器件的结构示意图。
附图中,1-本体,2-芯片,3-导线,4-第一引脚,41-第一弯折结构,5-第二引脚,51-第二弯折结构,6-支架,61-梯形槽。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州市鑫永诚光电科技有限公司,未经惠州市鑫永诚光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120256234.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种条形发光件及PCB板
- 下一篇:一种防开裂的散热组件和PAR灯
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





