[实用新型]双色红外探测器有效
| 申请号： | 202120215210.8 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN215266335U | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;张立群 | 申请（专利权）人： | 苏州晶歌半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外探测器 | ||
1.一种双色红外探测器，其特征在于，包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。
2.根据权利要求1所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波长红外探测器还包括中波通道接触层、中波通道连接层，所述中波通道吸收层、所述中波通道势垒层以及所述中波通道连接层依序层叠于所述中波通道接触层上；
所述长波长红外探测器还包括：长波通道连接层、长波通道接触层，所述长波通道连接层、所述长波通道势垒层、所述长波通道吸收层以及所述长波通道接触层依序层叠于所述中波通道连接层上；
所述双色红外探测器还包括：第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述中波通道接触层上，所述第二电极设置于所述长波通道接触层上。
3.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波通道势垒层的有效带宽大于所述中波通道吸收层的有效带宽，且所述中波通道势垒层的导带与所述中波通道吸收层的导带平齐。
4.根据权利要求3所述的双色红外探测器，其特征在于，所述长波通道势垒层的有效带宽大于所述长波通道吸收层的有效带宽，且所述长波通道势垒层的导带与所述长波通道吸收层的导带平齐。
5.根据权利要求4所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波通道吸收层的有效带宽大于所述长波通道吸收层的有效带宽。
6.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波长红外探测器的中波通道接触层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格。
7.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波长红外探测器的中波通道连接层为N型InPSb/InAs超晶格。
8.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述长波长红外探测器的长波通道连接层为N型InPSb/InAs超晶格。
9.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述长波长红外探测器的长波通道接触层为P型InAs/GaSb超晶格。
10.根据权利要求2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极为Ti/Pt/Au结构或者Ti/Pd/Au结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
