[实用新型]瞬态响应增强的双环路LDO电路

说明书

本实用新型属于电源电路领域，特别是一种瞬态响应增强的双环路LDO电路，包括误差放大器EA、第一电阻R1、第二电阻R2、负载电容C1和功率管MP，还包括第一MOS管MN、电流采样电路和瞬态响应增强电路，电流采样电路包括第一输入端VIN1、第二输入端VMP和第一输出端VO1，瞬态响应增强电路包括第三输入端VIN2、第四输入端V2、第五输入端VREF2、第六输入端VDD和第二输出端VO2。本实用新型既能以相对简单的电路结构增强LDO瞬态响应能力，又不影响主环路的传输时间，实现了降低输出阻抗，并将输出极点推至高频，进一步加快了响应速度，从而增强了LDO电路的瞬态响应能力。

技术领域

本实用新型属于电源电路领域，特别是一种瞬态响应增强的双环路LDO电路。

背景技术

LDO(Low Dropout Regulator，线性稳压器)电路是电源管理芯片的一种，因其面积小，应用简单，越来越广泛应用在便携式消费类电子产品中，特别是片上系统(SOC)；然而LDO电路应用在片上系统时，如果在片内集成大电容，会大幅增加芯片面积，如果采用片外电容，则需要增加芯片的引脚，因此LDO电路无法使用加大容值的负载电容，从而导致LDO瞬态响应和PSR性能显著下降。

为了增强LDO电路的瞬态响应能力，目前广泛采用的是在LDO主反馈环路中添加摆率增强电路、低阻缓冲器等方法，但在高性能指标的LDO电路设计中，这些方法会导致主环路传输路径较长，阻碍了瞬态响应能力的增强。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种瞬态响应增强的双环路LDO电路，在传统单环路结构中添加由电流采样电路、瞬态响应增强电路构成的第二环路，既能以相对简单的电路结构增强LDO瞬态响应能力，又不影响主环路的传输时间，并且在LDO电路的输出端添加NMOS管，实现了降低输出阻抗，并将输出极点推至高频，进一步加快了响应速度。本实用新型所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的：

一种瞬态响应增强的双环路LDO电路，包括误差放大器EA、第一电阻R1、第二电阻R2、负载电容C1和功率管MP，还包括第一MOS管MN、电流采样电路和瞬态响应增强电路，误差放大器EA的一个输入端与外部参考电压VREF1连接，另一输入端分别与第一电阻R1、第二电阻R2连接，第一电阻R1的另一端分别与功率管MP的漏极、第一MOS管MN的漏极和LDO电路的输出端VOUT连接，第二电阻R2的另一端接地，误差放大器EA的输出端与功率管MP的栅极连接，功率管MP的源极与输入电压VIN连接，第一MOS管MN的栅极与第一MOS管MN的漏极连接，第一MOS管MN的源极接地，负载电容C1跨接在LDO电路的输出端VOUT和地之间；电流采样电路包括第一输入端VIN1、第二输入端VMP和第一输出端VO1，瞬态响应增强电路包括第三输入端VIN2、第四输入端V2、第五输入端VREF2、第六输入端VDD和第二输出端VO2，第一输入端VIN1、第三输入端VIN2分别与输入电压VIN连接，第二输入端VMP与功率管MP的栅极连接，第一输出端VO1与第四输入端V2连接，第五输入端VREF2与外部参考电压VREF2连接，第六输入端VDD与外部电压VDD连接，第二输出端VO2与功率管MP的栅极连接。