[发明专利]一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机在审

专利信息
申请号: 202111676953.6 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114308764A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 马东;李晓玲 申请(专利权)人: 无锡小迪电子科技有限公司
主分类号: B08B1/00 分类号: B08B1/00;B08B7/00;B08B13/00;B08B15/04;F16F15/04
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 第三代 半导体材料 兼容 等离子 去胶机
【说明书】:

发明公开了一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机,包括等离子去胶机本体和底座,所述底座位于等离子去胶机本体的下方,底座的顶部开设有四个呈两两对称设置的安装槽,等离子去胶机本体的底部固定安装有四个支撑柱。本发明设计合理,实用性好,能够对半导体材料的上表面和下表面进行自动清洁除尘,并能够对清扫下来的灰尘杂质进行收集,不需人工手动操作对半导体材料表面进行清洁,减少了工作人员的劳动量,避免半导体材料携带灰尘杂质进入等离子去胶机本体内,提高了去胶质量,而且能够对等离子去胶机本体受到的震动力进行有效的缓冲减震,提高了等离子去胶机本体的抗震性能,避免等离子去胶机本体受到震动力而损坏。

技术领域

本发明涉及等离子去胶机技术领域,具体为一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机。

背景技术

等离子去胶机是一种用于材料科学、电子与通信技术领域的工艺试验仪器,其技术指标600W射频,采用氧等离子轰击样品表面,去除表面残胶,工作原理是将硅片置于真空反应系统中,通入少量氧气,加1500V高压,由高频信号发生器产生高频信号,使石英管内形成强的电磁场,使氧气电离,形成氧离子、活化的氧原子、氧分子和电子等混合物的等离子体的辉光柱,活化氧可以迅速地将聚酰亚胺膜氧化成为可挥发性气体,被机械泵抽走,这样就把硅片上的聚酰亚胺膜去除了,等离子去胶机的优点是去胶操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保。

但是,现有技术中,常用的适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机在使用过程中,不具有对待去胶的半导体材料表面进行自动清洁的功能,由于一些半导体材料表面容易存留灰尘杂质,把携带有灰尘杂质的半导体材料直接放入等离子去胶机内,会造成去胶质量下降,影响去胶效果,通常需要工作人员手动操作先把半导体材料表面清洁干净,进而增加了工作人员的劳动量,操作也费时费力,而且等离子去胶机不具有良好的抗震性能,对等离子去胶机的减震防护效果不理想,导致等离子去胶机容易受到震动力容易损坏,造成经济损失,为此,我们提出一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机用于解决上述问题。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本发明提供了一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机,解决了等离子去胶机在使用过程中,不具有对半导体材料表面进行自动清洁的功能,把携带有灰尘杂质的半导体材料直接放入等离子去胶机内,会造成去胶质量下降,影响去胶效果,通常需要工作人员手动操作先把半导体材料表面清洁干净,增加了工作人员的劳动量,操作也费时费力,而且等离子去胶机不具有良好的抗震性能,对等离子去胶机的减震防护效果不理想,导致等离子去胶机容易受到震动力容易损坏,造成经济损失的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机,包括等离子去胶机本体和底座,所述底座位于等离子去胶机本体的下方,底座的顶部开设有四个呈两两对称设置的安装槽,等离子去胶机本体的底部固定安装有四个支撑柱,四个支撑柱的底端分别滑动安装在相对应的安装槽内,底座的顶部中间位置开设有凹槽,等离子去胶机本体的底部固定安装有梯形座,梯形座的两侧均为倾斜设置,梯形座的底部延伸至凹槽内并固定安装有横板,等离子去胶机本体和底座之间设置有减震机构,等离子去胶机本体的顶部固定安装有清洁箱,清洁箱的前侧为开口设置,清洁箱的前侧外壁上转动安装有箱门,清洁箱的左侧内壁和右侧内壁上均固定安装有电动推杆,两个电动推杆的输出轴端均固定安装有夹板,清洁箱上设置有清洁机构,等离子去胶机本体的顶部设置有吸尘组件。

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