[发明专利]防串扰显示阵列及显示装置在审
| 申请号: | 202111674903.4 | 申请日: | 2021-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN114335064A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 岳大川 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
| 地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 防串扰 显示 阵列 显示装置 | ||
本申请提供一种防串扰显示阵列及显示装置,该显示阵列包括:基板;若干个LED器件;多个隔离沟,多个隔离沟将若干个LED器件分隔并形成多个台阶;若干个隔离槽,隔离沟和隔离槽中的一个沿行方向延伸,另一个沿列方向延伸,多个隔离沟将若干个LED器件和若干个隔离槽分割成多行或多列,隔离槽与LED器件间隔排布;多个第一金属导线;多个第二金属导线;其中,隔离槽的至少一个端部到相邻的隔离沟之间留有未刻蚀区,以供沿列或行方向延伸的第一金属导线或第二金属导线通过。因此本申请可以同时改善像素间串扰的问题和金属线断线的问题。
技术领域
本发明属于半导体微显示技术领域,特别涉及一种微显示阵列及微显示装置。
背景技术
Micro-LED(Micro Light Emitting Diode)显示技术是最新一代的显示技术,也是最近几年显示技术领域的研究热点。Micro-LED完全采用固态半导体制成技术生产,具有尺寸小、功耗低、反应速度快、对比度大、色彩饱和度高等优点,其像素尺寸多在百微米量级以下。
由于半导体微显示器件的每个LED器件都能够单独控制和关闭,使得其能够获得纯黑画面以及更好的对比度。阵列式微显示屏中,相邻的两个像素之间通过隔离沟实现电隔离,参见图1、2所示。在采用PM驱动方案的Micro LED显示阵列中,图1所示的隔离沟设计,可以避免后续制作金属电极导线时出现金属断线的风险,但当部分像素被点亮时,会发生像素间光串扰,即发光像素将某方向上相邻或附近的像素局部照亮的情况,参见图3所示。采用图2所示的隔离沟结构,使每颗LED发光器件的四面均通过隔离沟与其他器件分隔,这种结构可以减少像素间光串扰的问题,但隔离沟的增多,会导致后续制作金属导线时可能出现金属断线的风险,影响芯片可靠性与合格率。
发明内容
本申请的目的在于解决现有技术中无法兼顾改善像素间光串扰与金属导线断线的问题,提出一种改进的显示阵列结构。
为了实现上述发明的目的,本发明采用如下技术方案:一种防串扰显示阵列,包括:
基板;
若干个LED器件,沿行列方向阵列排布在所述的基板上,各所述的LED器件分别具有第一导电极以及第二导电极;
多个隔离沟,多个所述的隔离沟将若干个所述的LED器件分隔并形成多个台阶;
若干个隔离槽,所述的隔离沟和隔离槽中的一个沿行方向延伸,另一个沿列方向延伸,多个隔离沟将若干个所述的LED器件和若干个隔离槽分割成多行或多列,所述的隔离槽与LED器件间隔排布;
多个第一金属导线,连接同一列的多个所述的LED器件的第一导电极;
多个第二金属导线,连接位于同一行的多个所述的LED器件的第二导电极;
其中,所述的隔离槽的至少一个端部到相邻的隔离沟之间留有未刻蚀区,以供沿列或行方向延伸的第一金属导线或第二金属导线通过。
在本申请的一个实施例中,所述的隔离槽的长度大于相邻两个隔离沟之间距离的1/2。
在本申请的一个实施例中,所述的隔离沟沿着行方向延伸,所述的隔离槽沿着列方向延伸,且所述的隔离槽具有一个与所述的隔离沟相连的纵向延伸部。
在本申请的一个实施例中,所述的隔离槽还包括末端部,所述的末端部在行方向上的宽度大于等于所述的纵向延伸部的宽度。
在本申请的一个实施例中,所述的隔离槽还包括末端部,所述的末端部在行方向上的宽度小于所述的纵向延伸部的宽度。
在本申请的一个实施例中,所述的隔离槽还包括末端部以及与所述的末端部相连的横向延伸部,所述的末端部在行方向上的宽度小于所述的纵向延伸部的宽度。
在本申请的一个实施例中,所述的隔离槽在行列方向所在的平面上的投影呈一个或多个相连的纺锤形、长圆形、波浪形中的一种。
在本申请的一个实施例中,所述的隔离槽由多个浅槽堆叠形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





