[发明专利]一种CrSi基合金靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种CrSi基合金靶材，其特征在于，按照原子百分比由以下成分组成：Si 1-30％；Me0-10％，余量为Cr；其中，Me选自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的CrSi基合金靶材，其特征在于，所述CrSi基合金靶材为CrSi合金靶材，按照原子百分比由以下成分组成：Si 1-30％，余量为Cr；优选地，所述CrSi合金靶材的相对密度99％。

3.据权利要求1所述的CrSi基合金靶材，其特征在于，所述CrSi基合金靶材为CrSiMe合金靶材，按照原子百分比由以下成分组成：Si 1-30％，Me 1-10％，余量为Cr；其中Me选自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一种或多种；优选地，所述CrSiMe合金靶材的相对密度99％。

4.一种CrSi基合金靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、预合金粉末的制备；

步骤二、将上述预合金粉末装入包套后进行脱气处理；

步骤三、将上述经脱气处理后的包套进行热等静压处理，得到成型后的定坯，再去除包套后得到压制后的坯料。

5.根据权利要求4所述的CrSi基合金靶材的制备方法，其特征在于，所述预合金粉末为CrSi合金粉，所述CrSi合金粉通过将CrSi₂合金粉、Cr粉按照一定比例机械混合均匀得到；优选地，所述CrSi合金粉中按照原子百分比由以下成分组成：Si 1-30％，余量为Cr。

6.根据权利要求5所述的CrSi基合金靶材的制备方法，其特征在于，所述CrSi合金粉中，所述CrSi₂合金粉的纯度为≥99.5％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为200目-500目，所述Cr粉的纯度为≥99.5％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为80目-325目；优选地，所述CrSi₂合金粉的纯度为99.8％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为325目，所述Cr粉的纯度为99.8％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为325目。

7.根据权利要求4所述的CrSi基合金靶材的制备方法，其特征在于，所述预合金粉末为CrSiMe合金粉，所述CrSiMe合金粉通过将CrSi₂合金粉、Cr粉及Me粉按照一定比例机械混合均匀得到，其中，所述Me粉选自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一种或多种得到的粉体；优选地，所述CrSiMe合金粉中按照原子百分比由以下成分组成：Si 1-30％，Me 1-10％，余量为Cr；其中Me选自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的CrSi基合金靶材的制备方法，其特征在于，所述CrSiMe合金粉中，所述CrSi₂合金粉的纯度为≥99.5％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为200目-500目，所述Cr粉的纯度为≥99.5％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为80目-325目，所述Me粉的纯度为≥99.5％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为200目-500目；优选地，所述CrSi₂合金粉的纯度为99.8％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为325目，所述Cr粉的纯度为99.8％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为325目，所述Me粉的纯度为99.8％，是经过过筛处理后得到的，过筛处理的筛孔为325目。