[发明专利]多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架

说明书

本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。多层铝合金引线框架的制备方法，包括以下步骤：取用于制备引线框架的铝合金板带，铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；在合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层；采用第一刻蚀液对合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；刻蚀后对铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。多层铝合金引线框架，采用上述多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。本申请所得的引线框架具有较高的加工精度，是一种高反光、小间距的引线框架；本申请采用双面喷淋刻蚀液的加工方法有利于提高多层铝合金引线框架的加工精度。

技术领域

本申请涉及芯片载体制造的领域，更具体地说，它涉及一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。

背景技术

集成电路是各类电子产品的核心，其主要由半导体和引线框架等通过封装而得到。其中，引线框架作为集成电路的关键组件，主要起到散热、导电和支撑等作用。引线框架主要由铜合金板带制备而成；然而，受限于生产技术，国内的大部分铜合金板带的质量和精度都无法满足引线框架的制造需求；而从国外进口的高精度引线框架用铜合金板带成本很高；对于作为集成电路制造大国的中国来说，需要找到铜合金板带的替代品。

目前，相关技术中采用铝合金板带替代铜合金板带，利用铝的高导电、低成本、质轻、来源广等特点，能够得到性能理想的铝合金引线框架。对于铝合金引线框架的生产，相关技术主要采用模具冲压法。该方法生产效率高，可获得其它加工方法所不能或难以制造的、壁薄、质轻、刚性好、表面质量高、形状复杂的引线框架。

然而，在研究过程中，发明人发现该技术中至少存在如下问题：即冲压很容易致使工件变形，使得引线框架的加工精度难以保证。

发明内容

为了提高引线框架的加工精度，本申请提供一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。

第一方面，提供了一种多层铝合金引线框架的制备方法，采用如下的技术方案：

多层铝合金引线框架的制备方法，包括：

取用于制备引线框架的铝合金板带，所述铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；

在所述合金面层和所述厚铝面层上分别设置掩膜层；

采用第一刻蚀液对设置有掩膜层的所述合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对设置有掩膜层的所述厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；

刻蚀后对所述铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。

通过采用上述技术方案，相比冲压的方式，通过刻蚀液刻蚀的方式去除铝合金板带上多余部分而得到铝合金引线框架，所得铝合金引线框架不会出现变形的问题，有利于其加工精度的提高。同时，由于采用双面喷淋刻蚀液的刻蚀方式，故可以根据铝合金板带两侧表面的不同成分和刻蚀要求有针对性地使用不同的刻蚀液（第一刻蚀液和第二刻蚀液）刻蚀，做到有的放矢，从而相比于浸渍在刻蚀液中刻蚀的方式，可以获得更好的整体刻蚀精度（即加工精度，下同）。

可选的，所述合金面层包括依次叠合的TiO₂层、第一Al₂O₃层、Ag层、第二Al₂O₃层以及第三Al₂O₃层，所述第三Al₂O₃层与厚铝面层连接。

可选的，所述第一刻蚀液包括氢氟酸、硝酸、三氯化铁以及水，且第一刻蚀液中，所述氢氟酸、硝酸和水的体积比为(5-15)：(3-20)：100，所述三氯化铁的浓度为1.8-2.5mol/L；

所述第二刻蚀液包括盐酸、硝酸、三氯化铁以及水，且第二刻蚀液中，所述盐酸、硝酸和水的体积比为(3-20)：(3-20)：100，所述三氯化铁的浓度为1.8-2.5mol/L。