[发明专利]多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架在审
申请号: | 202111653668.2 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114566433A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 阳军亮;周辉;周武;刘波;汪炼成;李舀 | 申请(专利权)人: | 昆山弗莱吉电子科技有限公司;中南大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495;C09K13/04;C09K13/08;C23F1/02;C23F1/20;C23F1/30 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 李鑫伟 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 铝合金 引线 框架 制备 方法 以及 | ||
1.多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:包括:
取用于制备引线框架的铝合金板带,所述铝合金板带包括合金面层和厚铝面层;
在所述合金面层和所述厚铝面层上分别设置掩膜层;
采用第一刻蚀液对设置有掩膜层的所述合金面层进行垂直喷淋刻蚀,采用第二刻蚀液对设置有掩膜层的所述厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀;
刻蚀后对所述铝合金板带抛光,之后去除铝合金板带上的掩膜层。
2.根据权利要求1所述的多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:所述合金面层包括依次叠合的TiO2层、第一Al2O3层、Ag层、第二Al2O3层以及第三Al2O3层,所述第三Al2O3层与厚铝面层连接。
3.根据权利要求2所述的多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:所述第一刻蚀液包括氢氟酸、硝酸、三氯化铁以及水,且第一刻蚀液中,所述氢氟酸、硝酸和水的体积比为(5-15):(3-20):100,所述三氯化铁的浓度为1.8-2.5mol/L;
所述第二刻蚀液包括盐酸、硝酸、三氯化铁以及水,且第二刻蚀液中,所述盐酸、硝酸和水的体积比为(3-20):(3-20):100,所述三氯化铁的浓度为1.8-2.5mol/L。
4. 根据权利要求3所述的多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:所述第一刻蚀液对合金面层喷淋的压力为:2-3 kg/cm2,所述第二刻蚀液对厚铝面层喷淋的压力为:1-1.8 kg/cm2。
5.根据权利要求3所述的多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:对所述合金面层进行喷淋刻蚀时控制所述第一刻蚀液温度始终为30-40℃,对所述厚铝面层进行喷淋刻蚀时控制所述第二刻蚀液温度始终为25-40℃。
6.根据权利要求1-5任一所述的多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:在所述合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层的方法为:取掩膜油墨并通过丝网印刷的方式分别印制在所述合金面层和厚铝面层上,烘干所述合金面层和厚铝面层上的掩膜油墨,之后曝光显影使掩膜油墨固化得到掩膜层。
7.根据权利要求6所述的多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:在所述合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层的方法为:
清洁所述铝合金板带;
准备所述掩膜油墨并将掩膜油墨置于无光源处静置5-15min;
采用丝网印刷的方式将掩膜油墨印制到所述合金面层上,控制印刷时刮板角度为60-80°、刮板移动速度为2-5m/min、刮板压力为0.8-1.5kg/cm²;印制后将合金面层置于70-100℃的温度下烘烤5-8min;
采用丝网印刷的方式将掩膜油墨印制到所述厚铝面层上,控制印刷时刮板角度为60-80°、刮板移动速度为2-5m/min、刮板压力为0.8-1.5kg/cm²;印制后将厚铝面层置于70-100℃的温度下烘烤5-8min;
将印制了掩膜油墨的所述铝合金板带进行曝光,控制光源能量为80-200MJ;
对曝光后的铝合金板带进行显影,控制显影速度为1.5-2m/min,显影压力为0.8-1.2kg/cm²。
8.根据权利要求1-5任一所述的多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:对所述铝合金板带抛光的方法为:将所述铝合金板带浸入25-40℃的抛光液中抛光10-20min;
所述抛光液包括硝酸和水,两者的体积比为(3-10):100。
9.根据权利要求1-5任一所述的多层铝合金引线框架的制备方法,其特征在于:去除所述铝合金板带上的掩膜层的方法为:将所述铝合金板带浸入40-70℃的N-甲基吡咯烷酮中浸泡2-10min使掩膜层脱离。
10.多层铝合金引线框架,其特征在于:采用权利要求1-9任一所述的多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山弗莱吉电子科技有限公司;中南大学,未经昆山弗莱吉电子科技有限公司;中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111653668.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造