[发明专利]一种显示面板、显示装置和掩膜板组合结构在审
申请号: | 202111644229.5 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114335113A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 李剑波;吴建鹏;黄琰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 姚楠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 掩膜板 组合 结构 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括沿第一方向延伸的第一像素组和第二像素组,所述第一像素组与所述第二像素组在第二方向依次交替排布,所述第二方向与所述第一方向相交;所述第一像素组包括依次交替排布的第一子像素和第二子像素,所述第二像素组包括依次排布的第三子像素;所述第三子像素的形状为边数大于四的凸多边形。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每一所述第三子像素的外围包括两个所述第一子像素,以及两个所述第二子像素,两个所述第一子像素朝向所述第三子像素的边、与两个所述第二子像素朝向所述第三子像素的边围成的外轮廓形状,与所述第三子像素的形状相似。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,两个所述第一子像素朝向所述第三子像素的边、与两个所述第二子像素朝向所述第三子像素的边围成的外轮廓形状与所述第三子像素的形状相对的边互相平行。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,位于同一所述第一像素组且围设于同一所述第三子像素的所述第一子像素和所述第二子像素,关于平行于所述第二方向且过所述第三子像素中心的直线对称。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,围设于同一所述第三子像素的两个所述第一子像素关于平行于所述第一方向且过所述第三子像素中心的直线对称;
围设于同一所述第三子像素的两个所述第二子像素关于平行于所述第一方向且过所述第三子像素中心的直线对称。
6.如权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,相邻两列所述第二像素组的所述第三子像素错位排布。
7.如权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,同一列的所述第一像素组中,过各所述第一子像素中心的直线,与过各所述第二子像素中心的直线重合。
8.如权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素中的至少一者中,相邻两边的延长线夹角为锐角的拐角位置处为弧形。
9.如权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第三子像素的形状为六边形或八边形。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的形状为菱形,所述第二子像素的形状为菱形。
11.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的形状为菱形,且所述菱形的拐角位置处为弧形;所述第二子像素的形状为菱形,且所述菱形的拐角位置处为弧形。
12.如权利要求1-4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第三子像素的面积大于所述第一子像素的面积,所述第三子像素的面积大于所述第二子像素的面积。
13.如权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第三子像素为出射蓝光的像素,所述第一子像素为出射红光的像素,所述第二子像素为出射绿光的子像素。
14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-13任一项所述的显示面板。
15.一种制作如权利要求1-13任一项所述显示面板的掩膜板组合结构,其特征在于,所述掩膜板组合结构包括第一子掩膜板,第二子掩膜板以及第三子掩膜板,其中,所述第一子掩膜板包括多个沿第一方向延伸的第一子开口,第二子掩膜板包括多个沿第一方向延伸的第二子开口,所述第三子掩膜板包括多个沿第一方向延伸的第三子开口;所述第三子开口的形状为边数大于四的凸多边形。
16.如权利要求15所述的掩膜板组合结构,其特征在于,所述第三子开口的形状为六边形或八边形;所述第一子开口的形状为菱形;所述第二子开口的形状为菱形。
17.如权利要求16所述的掩膜板组合结构,其特征在于,所述第一子开口、所述第二子开口的至少一者中,相邻两边的延长线夹角为锐角的拐角位置处为弧形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的