[发明专利]一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料及其制备方法

说明书

本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料及其制备方法，由主体材料和表面镀层组成；所述主体材料的化学式为Pb_xSm_1‑x(Mn_yNb_1‑y)_n(Zr_zTi_1‑z)_1‑nO₃+awt.％Y₂O₃+bwt.％Al₂O₃+cwt.％Sb₂O₃；其中，0.8≤x＜1，0.4≤y≤0.6，0.5≤z≤0.8，n＝0.15‑0.2，a＝0.55‑0.95，b＝1‑1.25，c＝0.22‑0.30；所述表面镀层为Ni‑Ag‑P层，本发明所制备压电陶瓷材料具有优异的压电性能，表面镀层腐蚀电位高，耐蚀性好，且镀速快，综合性能较好，不仅具有良好的导电性还可以对陶瓷材料起到很好的防护作用。

技术领域

本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体涉及一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料及其制备方法。

背景技术

电子陶瓷(electronic ceramic)，是指在电子工业中能够利用电、磁性质的陶瓷。其是通过对表面、晶界和尺寸结构的精密控制而最终获得具有新功能的陶瓷，也是目前航天、新能源、新材料、微电子、激光、海洋工程和生物工程等高新技术的重要组成部分和不可缺少的物质基础，是当前高技术竞争的热点之一。

自19世纪80年代，居里兄弟首先在石英晶体上发现压电效应后，压电材料和压电器件的研究和生产发展极为迅速。压电陶瓷作为电子陶瓷材料的一种是实现机械能与电能相互转换的功能材料，作为电子信息材料的一个重要分支，广泛应用于压电振子和压电换能器等领域。

PZT基压电陶瓷材料具有压电常数高、易掺杂改性、稳定性好等特点，烧结温度一般在1200℃以上，虽然目前已经被广泛应用，但是，随着科技的发展，现有的PZT基压电陶瓷材料逐渐不能满足实际应用，需要对其进行改进以提供更多性能更优的压电陶瓷材料。

发明内容

发明目的：针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料及其制备方法。

本发明所采用的技术方案如下：

一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料，由主体材料和表面镀层组成；

所述主体材料的化学式为

Pb_xSm_1-x(Mn_yNb_1-y)_n(Zr_zTi_1-z)_1-nO₃+awt.％Y₂O₃+bwt.％Al₂O₃+cwt.％Sb₂O₃；

其中，0.8≤x＜1，0.4≤y≤0.6，0.5≤z≤0.8，n＝0.15-0.2，a＝0.55-0.95，b＝1-1.25，c＝0.22-0.30；

所述表面镀层为Ni-Ag-P层。

进一步地，x为0.85、0.9、0.95、0.96或0.98，y为0.4、0.45、0.5、0.55或0.6，z为0.51、0.52、0.53、0.54或0.55。

进一步地，a＝0.55，b＝1，c＝0.25。