[发明专利]共射型IGBT电子断路器

权利要求书

1.一种共射型IGBT电子断路器，其特征在于，包括：

快速响应开关模块，所述快速响应开关模块包括IGBT共射极开关组、容阻吸收电路及继电器组，所述IGBT共射极开关组的输入端用于接入交流电或直流电，所述IGBT共射极开关组的输出端经所述容阻吸收电路后与所述继电器组电连接；

电流检测模块，所述电流检测模块包括霍尔电流传感器、漏电流传感器及电压电流检测器，所述霍尔电流传感器的输入端与所述继电器组的输出端电连接，所述霍尔电流传感器的一输出端与所述漏电流传感器电连接，所述霍尔电流传感器的另一输出端与所述电压电流检测器电连接，并且所述电压电流检测器还与所述漏电流传感器电连接；

驱动控制模块，所述驱动控制模块包括驱动控制单元及运算操作单元，所述驱动控制单元分别与所述IGBT共射极开关组、所述容阻吸收电路电连接，所述运算操作单元分别与所述驱动控制单元、所述继电器组和所述电压电流检测器电连接；及

中心处理模块，所述中心处理模块分别与所述驱动控制单元、所述运算操作单元及所述电压电流检测器电连接。

2.根据权利要求1所述的共射型IGBT电子断路器，其特征在于，所述中心处理模块包括MCU处理器及无线传输模块，所述MCU处理器分别与所述驱动控制单元、所述运算操作单元及所述电压电流检测器电连接，所述无线传输模块与所述MCU处理器电连接。

3.根据权利要求2所述的共射型IGBT电子断路器，其特征在于，所述无线传输模块为DTU模块。

4.根据权利要求2所述的共射型IGBT电子断路器，其特征在于，所述中心处理模块还包括温度控制单元，所述温度控制单元用于检测IGBT共射极开关组的温度，并且所述温度控制单元与所述MCU处理器电连接。

5.根据权利要求1所述的共射型IGBT电子断路器，其特征在于，所述IGBT共射极开关组包括两个IGBT开关，并且两个所述IGBT开关的发射极相连接，其中一个所述IGBT开关的集电极用于接入交流电，另一个所述IGBT开关的集电极与所述容阻吸收电路电连接，并且两个所述IGBT开关的控制端与所述驱动控制单元电连接。

6.根据权利要求5所述的共射型IGBT电子断路器，其特征在于，所述容阻吸收电路包括电容C6及电阻R12，所述电容C6的第一端与另一个所述IGBT开关的集电极电连接，所述电容C6的第二端经所述电阻R12后与交流电的零线连接。

7.根据权利要求1所述的共射型IGBT电子断路器，其特征在于，所述运算操作单元包括精密整流放大电路、RC滤波器、比较器及高速锁电路，所述精密整流放大电路的输入端与所述霍尔电流传感器的输出端电连接，所述精密整流放大电路的输出端经所述RC滤波器滤波后输出至所述比较器中，所述比较器的输出端与所述高速锁电路的输入端电连接，所述高速锁电路的输出端与所述IGBT共射极开关组的控制端电连接。

8.根据权利要求7所述的共射型IGBT电子断路器，其特征在于，所述精密整流放大电路包括反比例放大器及整流放大器，所述反比例放大器的输入端与所述霍尔电流传感器的输出端电连接，所述反比例放大器的输出端与所述整流放大器的输入端电连接，所述整流放大器的输出端与所述RC滤波器电连接。