[发明专利]可补偿阻抗值的电刺激方法和非植入式电刺激系统

说明书

本发明提供一种可补偿阻抗值的电刺激方法。可补偿阻抗值的电刺激方法适用于提供高频电刺激的一非植入式电刺激装置。非植入式电刺激装置包括电刺激器及电极组件，电刺激器可分离式地电性连接电极组件。可补偿阻抗值的电刺激方法的步骤包括：提供一高频环境，并根据测量到的电极组件的第一电阻值、第一电容值和第一电感值的至少其中之一者来计算导电极组件的第一阻抗值；提供高频环境，并根据测量到的电刺激器的第二电阻值、第二电容值和第二电感值的至少其中之一者来计算电刺激器的第二阻抗值；以及存储第一阻抗值和第二阻抗值，以供后续计算组织阻抗值的补偿。本发明还涉及一种非植入式电刺激系统。

技术领域

本发明的实施例主要是有关于一电刺激技术。

背景技术

近年来，有数十种治疗性的神经电刺激装置被发展出来，并且每年至少有数万人接受电刺激装置的植入手术。由于精密制造技术的发展，医疗仪器的尺寸已微小化，并可植入人体的内部，例如，植入式电刺激装置。

传统上，电刺激装置的阻抗值在出厂前即已测量并写进电刺激装置或外部控制装置的固件里，但在一些情况下(如电刺激装置处于高频的使用环境)，电刺激装置的阻抗值有可能发生变化，使得实际的阻抗值与存在固件里的数值不符，而使产生的电刺激信号的参数控制不准确，甚至会影响疗效。

发明内容

有鉴于上述先前技术的问题，本发明的实施例提供了一种可补偿阻抗值的电刺激方法和非植入式电刺激系统。

根据本发明的一实施例提供了一种可补偿阻抗值的电刺激方法。可补偿阻抗值的电刺激方法适用于提供高频电刺激的一非植入式电刺激装置。上述非植入式电刺激装置包括一电刺激器及一电极组件，上述电刺激器是可分离式地电性连接上述电极组件。可补偿阻抗值的电刺激方法的步骤包括：提供一高频环境，并根据测量到的上述电极组件的一第一电阻值、一第一电容值和一第一电感值的至少其中之一者来计算上述电极组件的一第一阻抗值；借由上述阻抗补偿装置，提供上述高频环境，并根据测量到的上述电刺激器的一第二电阻值、一第二电容值和一第二电感值的至少其中之一者来计算上述电刺激器的一第二阻抗值；以及存储上述第一阻抗值和上述第二阻抗值，以供后续计算一组织阻抗值的补偿。

根据本发明的一实施例提供了一种非植入式电刺激系统。非植入式电刺激系统适用于高频电刺激操作。上述非植入式电刺激系统包括一电极组件、一电刺激器和一阻抗补偿装置。上述电刺激器是可分离式地电性连接上述电极组件。阻抗补偿装置提供一高频环境，并根据测量到的上述电极组件的一第一电阻值、一第一电容值和一第一电感值的至少其中之一者来计算上述电极组件的一第一阻抗值，以及根据测量到的上述电刺激器的一第二电阻值、一第二电容值和一第二电感值的至少其中之一者来计算上述电刺激器的一第二阻抗值。上述第一阻抗值和上述第二阻抗值存储在上述电刺激装置，以供后续计算一组织阻抗值的补偿。

于本发明其他附加的特征与优点，此领域的熟习技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可根据本案实施方法中所公开的可补偿阻抗值的电刺激方法和电刺激系统，做些许的更动与润饰而得到。

附图说明

图1A是本发明的一实施例的非植入式电刺激装置的立体示意图。

图1B是图1A所示的非植入式电刺激装置另一角度的立体示意图。

图1C是图1A所示的非植入式电刺激装置的分解示意图。

图2是显示根据本发明的一实施例所述的一非植入式电刺激装置的方框图。

图3是根据本发明的一实施例的非植入式电刺激装置的电刺激信号波形图。

图4是根据本发明的一实施例所述的一非植入式电刺激装置的示意图。

图5是显示根据本发明的一实施例所述的一阻抗补偿装置的方框图。

图6是显示根据本发明的一实施例所述的一阻抗补偿模型的示意图。