[发明专利]可补偿阻抗值的电刺激方法和非植入式电刺激系统

权利要求书

1.一种可补偿阻抗值的电刺激方法，适用于提供高频电刺激的一非植入式电刺激装置，其中上述非植入式电刺激装置包括一电刺激器及一电极组件，上述电刺激器是可分离式地电性连接上述电极组件，上述可补偿阻抗值的电刺激方法包括：

提供一高频环境，并根据测量到的上述电极组件的一第一电阻值、一第一电容值和一第一电感值的至少其中之一者来计算上述电极组件的一第一阻抗值；

提供上述高频环境，并根据测量到的上述电刺激器的一第二电阻值、一第二电容值和一第二电感值的至少其中之一者来计算上述电刺激器的一第二阻抗值；以及

存储上述第一阻抗值和上述第二阻抗值，以供后续计算一组织阻抗值。

2.如权利要求1所述的可补偿阻抗值的电刺激方法，还包括：

测量一总阻抗值；以及

将上述总阻抗值扣除上述第一阻抗值和上述第二阻抗值，以取得上述组织阻抗值。

3.如权利要求1所述的可补偿阻抗值的电刺激方法，其中上述高频环境是根据上述电刺激器所用的一电刺激频率来进行模拟。

4.如权利要求1所述的可补偿阻抗值的电刺激方法，其中上述高频环境是脉冲频率范围在1K赫兹至1000K赫兹的范围。

5.如权利要求1所述的可补偿阻抗值的电刺激方法，其中上述电极组件包括两电极。

6.如权利要求5所述的可补偿阻抗值的电刺激方法，其中上述两电极是分别为薄膜式电极。

7.如权利要求1所述的可补偿阻抗值的电刺激方法，其中上述电刺激器包括至少一第一磁性单元，上述电极组件包括至少一第二磁性单元，上述电极组件借由上述至少一第一磁性单元与至少一第二磁性单元吸附，而可分离式地定位于上述电刺激器的一侧。

8.如权利要求1所述的可补偿阻抗值的电刺激方法，其中上述电极组件包括一导电凝胶。

9.一种非植入式电刺激系统，适用于高频电刺激操作，包括：

一电极组件；

一电刺激器，上述电刺激器是可分离式地电性连接上述电极组件；以及

一阻抗补偿装置，提供一高频环境，并根据测量到的上述电极组件的一第一电阻值、一第一电容值和一第一电感值的至少其中之一者来计算上述电极组件的一第一阻抗值，以及根据测量到的上述电刺激器的一第二电阻值、一第二电容值和一第二电感值的至少其中之一者来计算上述电刺激器的一第二阻抗值；

其中上述第一阻抗值和上述第二阻抗值存储在上述电刺激器，以供后续计算一组织阻抗值的补偿。

10.如权利要求9所述的非植入式电刺激系统，其中上述电刺激器测量一总阻抗值，以及将上述总阻抗值扣除上述第一阻抗值和上述第二阻抗值，以取得上述组织阻抗值。

11.如权利要求9所述的非植入式电刺激系统，其中上述阻抗补偿装置根据上述电刺激器所用的一电刺激频率来模拟上述高频环境。

12.如权利要求9所述的非植入式电刺激系统，其中上述高频环境是脉冲频率范围在1K赫兹至1000K赫兹的范围。

13.如权利要求9所述的非植入式电刺激系统，其中上述阻抗补偿装置是一外部控制装置或设置在上述电刺激装置内。

14.如权利要求9所述的非植入式电刺激系统，其中上述电极组件包括两电极。

15.如权利要求14所述的非植入式电刺激系统，其中上述两电极是分别为薄膜式电极。