[发明专利]半导体的加工方法

说明书

本发明公开了一种半导体的加工方法，应用于二氧化硅基体内含有镍铁线圈的半导体元件，包括：将半导体元件放置在第一减薄盘上进行第一次减薄研磨，得到一次减薄后的半导体元件；将一次减薄后的半导体元件放置在第二减薄盘上进行第二次减薄研磨，得到二次减薄后的半导体元件；其中，第二减薄盘上的金刚石颗粒小于第一减薄盘上的金刚石颗粒，第二减薄盘的旋转速度小于第一减薄盘的旋转速度；将二次减薄后的半导体元件放置在第三减薄盘上进行抛光研磨，得到减薄抛光后的半导体元件；其中，第三减薄盘上的金刚石颗粒小于第二减薄盘上的金刚石颗粒，第三减薄盘的旋转速度小于第二减薄盘的旋转速度。采用本发明实施例能够满足精磨抛光的技术要求。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种半导体的加工方法。

背景技术

半导体元件在精磨抛光时通常是采用一次研磨的方式，以去除晶圆表面的机械物理的划痕，精磨抛光的技术要求是：基体表面需高于镍铁表面0.25-0.3um。但由于半导体表面材料有所不同，其基体的主要成分是二氧化硅，其材质较硬，基体内含有镍铁成分的感应线圈，其材质较软，如果精磨过程中采用的金刚石颗粒大，那么会造成镍铁表面的划痕，同时也会造成镍铁材料高于二氧化硅基体，如果精磨过程中采用的金刚石颗粒小，则将会使镍铁材料研磨过度，最后平面会低于二氧化硅基体过多，因此现有的加工方法无法满足精磨抛光的技术要求。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体的加工方法，能够通过两次减薄研磨、一次抛光研磨的方式对半导体元件进行加工，以满足精磨抛光的技术要求。

本发明一实施例提供一种半导体的加工方法，应用于二氧化硅基体内含有镍铁线圈的半导体元件，包括：

将半导体元件放置在第一减薄盘上进行第一次减薄研磨，得到一次减薄后的半导体元件；

将所述一次减薄后的半导体元件放置在第二减薄盘上进行第二次减薄研磨，得到二次减薄后的半导体元件；其中，所述第二减薄盘上的金刚石颗粒小于所述第一减薄盘上的金刚石颗粒，所述第二减薄盘的旋转速度小于所述第一减薄盘的旋转速度；

将所述二次减薄后的半导体元件放置在第三减薄盘上进行抛光研磨，得到减薄抛光后的半导体元件；其中，所述第三减薄盘上的金刚石颗粒小于所述第二减薄盘上的金刚石颗粒，所述第三减薄盘的旋转速度小于所述第二减薄盘的旋转速度。

作为上述方案的改进，所述第一减薄盘上的金刚石颗粒为450-550um。

作为上述方案的改进，所述第二减薄盘上的金刚石颗粒为200-300nm。

作为上述方案的改进，所述第三减薄盘上的金刚石颗粒为40-60nm。

作为上述方案的改进，所述第一减薄盘的旋转速度为45-55rpm。

作为上述方案的改进，所述第二减薄盘的旋转速度为25-35rpm。

作为上述方案的改进，所述第三减薄盘的旋转速度为10-20rpm。

作为上述方案的改进，在所述第一次减薄研磨的步骤中，所述二氧化硅基体的减薄量为25-35um；在所述第二次减薄研磨的步骤中，所述二氧化硅基体的减薄量为10-15um；在所述抛光研磨的步骤中，所述二氧化硅基体的减薄量为4-6nm。

作为上述方案的改进，所述第一减薄盘、所述第二减薄盘和所述第三减薄盘的材料为锡盘。

作为上述方案的改进，在所述第一次减薄研磨、所述第二次减薄研磨和所述抛光研磨的步骤中，所采用的研磨液的主要成分为铵氢氧化物，pH值为10。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：