[发明专利]一种Ga2

说明书

本发明公开了一种Ga₂O₃材料的图案化方法，该图案化方法包括：在Ga₂O₃材料层上设置图案化掩膜层，以形成所述Ga₂O₃材料层的刻蚀区域；向所述刻蚀区域通入镓蒸汽，以对所述刻蚀区域进行刻蚀。与现有技术相比，本发明的图案化方法不存在任何等离子体轰击造成的损伤，而且还避免了晶格结构损伤，有效地降低了界面态密度。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种Ga₂O₃材料的图案化方法。

背景技术

Ga₂O₃是一种超宽禁带半导体材料，采用Ga₂O₃来制作的半导体器件具有较强的耐压能力。目前对于Ga₂O₃材料的图案化方法通常采用等离子体刻蚀，但是在等离子体刻蚀过程中造成的刻蚀损伤会形成严重的界面态，从而影响了电子器件的电学性能和可靠性。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种Ga₂O₃材料的图案化方法，该图案化方法包括：

在Ga₂O₃材料层上设置图案化掩膜层，以形成所述Ga₂O₃材料层的刻蚀区域；

向所述刻蚀区域通入镓蒸汽，以对所述刻蚀区域进行刻蚀。

优选地，向所述刻蚀区域通入镓蒸汽的方法包括：

将设置有所述图案化掩膜层的所述Ga₂O₃材料层置于气相工艺设备内；

利用所述气相工艺设备的气相蒸发功能，将镓源材料转化为镓蒸汽，使所述镓蒸汽与所述刻蚀区域进行接触。

优选地，所述气相工艺设备为MOCVD设备、CVD设备、MBE设备、真空镀膜设备之一。

优选地，所述镓源材料为三甲基镓、三乙基镓、金属镓之一。

优选地，所述Ga₂O₃材料层由β-Ga₂O₃来制成。

优选地，所述刻蚀环境温度为400℃～500℃。

优选地，所述镓蒸汽的通入流量为40sccm～100sccm。

本发明利用了Ga原子和Ga₂O₃反应生成气态的低价态氧化物产物的反应原理实现了对Ga₂O₃材料的图案化刻蚀，利用本发明的图案化方法来对Ga₂O₃材料进行图案化时，气态低价态氧化物产物随着载气被排除，新暴露出的Ga₂O₃会不断和Ga原子继续发生反应，从而产生了刻蚀效果。

与现有技术相比，本发明的图案化方法不存在任何等离子体轰击造成的损伤，而且还避免了晶格结构损伤，有效地降低了界面态密度。此外，刻蚀区域的表面上不会产生附产物，也没有引入其他元素，避免了其他材料的污染。

附图说明

图1是本发明实施例的Ga₂O₃材料的图案化方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本发明的实施方式仅仅是示例性的，并且本发明并不限于这些实施方式。