[发明专利]一种Ga2

权利要求书

1.一种Ga₂O₃材料的图案化方法，其特征在于，所述图案化方法包括：

在Ga₂O₃材料层上设置图案化掩膜层，以形成所述Ga₂O₃材料层的刻蚀区域；

向所述刻蚀区域通入镓蒸汽，以对所述刻蚀区域进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，向所述刻蚀区域通入镓蒸汽的方法包括：

将设置有所述图案化掩膜层的所述Ga₂O₃材料层置于气相工艺设备内；

利用所述气相工艺设备的气相蒸发功能，将镓源材料转化为镓蒸汽，使所述镓蒸汽与所述刻蚀区域进行接触。

3.根据权利要求2所述的图案化方法，其特征在于，所述气相工艺设备为MOCVD设备、CVD设备、MBE设备、真空镀膜设备之一。

4.根据权利要求2所述的图案化方法，其特征在于，所述镓源材料为三甲基镓、三乙基镓、金属镓之一。

5.根据权利要求1至4任一所述的图案化方法，其特征在于，所述Ga₂O₃材料层由β-Ga₂O₃来制成。

6.根据权利要求5所述的图案化方法，其特征在于，所述刻蚀环境温度为400℃～500℃。

7.根据权利要求6所述的图案化方法，其特征在于，所述镓蒸汽的通入流量为40sccm～100sccm。