[发明专利]聚合物、含有此聚合物的光刻胶及其应用

说明书

本发明提供了一种聚合物、含有此聚合物的光刻胶及其应用，聚合物的结构为：其中：其中：R₁选自或单键；R₂选自‑H、C1～C10卤代烃基、C6～C10芳基或取代或未被取代的C1～C10直链或环状杂烷基；R₄选自单键、‑O‑、C1～C10卤代烃、C6～C10芳基或取代或未被取代的C1～C10直链或环状杂烷基；R₃分别独立地选自‑H或‑OH；n为10～110的整数；使用上述聚合物在制备负性光刻胶时会大幅度提高光刻胶的耐高温性，含有此聚合物光刻胶的分解温度高达250℃，可提高全波段光具有良好的目标线宽成像，可有效获得负性光刻图形以及提高光敏化效果。

技术领域

本发明涉及有机化学技术领域，特别是一种聚合物、含有此聚合物的光刻胶及其应用。

背景技术

近年来在平板显示器、功能性芯片以及半导体芯片制造上被广泛应用。以聚酰胺树脂为主体的感光性光刻胶，在曝光显影后既可以形成所需要的微米或纳米级图形，又保留了聚酰胺树脂的各种优良物理特性，作为面板和芯片结构成分保留在面板和芯片的模组之中，因而具有高耐热性和高稳定性，聚酰胺树脂的高耐热性和高稳定性可以完全满足工艺的要求。

传统光刻胶耐热性不高，在150℃以上的环境中使用时，光刻图形就开始严重变形。而微电子加工工艺中的一些高温环境，如多层光刻胶系统、离子注入技术等，要求光刻图形在200℃甚至更高的温度下不变形。

发明内容

因此有必要提供一种耐高温200℃以上的聚合物、含有此聚合物的光刻胶及其应用。

本发明提供一种聚合物，所述聚合物的结构如通式(1)所示：

其中：R₁选自或单键；

R₂选自-H、C1～C10卤代烃基、C6～C10芳基或取代或未被取代的C1～C10直链或环状杂烷基；

R₄选自单键、-O-、C1～C10卤代烃、C6～C10芳基或取代或未被取代的C1～C10直链或环状杂烷基；

R₃分别独立地选自-H或-OH；

n为10～110的整数。

在其中一个实施例中，所述聚合物的相对分子质量为3000～50000。

在其中一个实施例中，所述聚合物的结构如通式(1-1)所示：

其中：R₁选自或单键；

R₂选自-H、C1～C6卤代烃、C6～C10芳基或取代或未被取代的C1～C6直链或环状杂烷基；

R₄选自单键、-O-、C1～C6卤代烃、C6～C10芳基或取代或未被取代的C1～C6直链或环状杂烷基；

R₃分别独立地选自-H或-OH；

n为50～100的整数。

在其中一个实施例中，所述聚合物的结构如通式(2-1)-(2-3)所示中的至少一种：

其中，结构为式(2-1)的聚合物的相对分子质量为4000～46000，结构为式(2-2)的聚合物的相对分子质量为3500～43000，结构为式(2-3)的聚合物的相对分子质量为4000～45000。

本发明还进一步提供一种光刻胶，以重量份数计，包括如下原料组分：