[发明专利]聚合物、含有此聚合物的光刻胶及其应用

权利要求书

1.一种光刻胶，其特征在于，以重量份数计，包括如下原料组分：

聚合物 8～15份、

光引发剂 2～5份，以及

交联剂 8～15份；

其中，所述聚合物的结构如通式(2-2)以及(2-3)所示中的至少一种：

其中，结构为式(2-2)的聚合物的相对分子质量为3500～43000，结构为式(2-3)的聚合物的相对分子质量为4000～45000；

所述交联剂为1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯。

2.如权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，结构为式(2-2)的聚合物的相对分子质量为38000。

3.如权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，结构为式(2-3)的聚合物的相对分子质量为42000。

4.如权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述光引发剂选自如(4-1)～(4-6)所示结构化合物中的至少一种：

5.如权利要求1～4任一项所述的光刻胶，其特征在于，所述原料组分还包括0.01～0.3份的助剂和40～60份的溶剂。

6.如权利要求5所述的光刻胶，其特征在于，所述溶剂选自丙二醇甲醚醋酸酯、二甲基乙酰胺、二甲苯、苯甲醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚乙酸酯、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、醋酸丁酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯以及N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。

7.如权利要求5所述的光刻胶，其特征在于，所述助剂选自表面活性剂和流平剂中的至少一种。

8.一种光刻工艺，其特征在于，包括如下步骤：

将权利要求1～7任一项所述光刻胶涂布在基底上，烘烤，制备光刻胶膜；

将所述光刻胶膜依次进行曝光、显影和热固化处理。

9.如权利要求8所述的光刻工艺，其特征在于，烘烤的温度为115℃～125℃，烘烤的时间为0.5min～2min。

10.如权利要求8所述的光刻工艺，其特征在于，热固化处理的温度为100℃～120℃，热固化处理的时间为0.5min～2min。