[发明专利]一种OTS选通管的操作方法

权利要求书

1.一种OTS选通管的操作方法，其特征在于，包括：在OTS选通管两端施加脉冲，提取每次施加脉冲后OTS选通管的阈值电压V_th；若V_th连续P次增大或V_th连续P次减小，则从下次起施加反向脉冲，并对V_th增大或减小的次数重新计数；其中，P大于或等于2。

2.根据权利要求1所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，在所述OTS选通管两端施加双向脉冲：每施加N次同向脉冲后施加M次反向脉冲；其中，N大于或等于1，M大于或等于1。

3.根据权利要求1或2所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，在所述OTS选通管两端施加的脉冲为三角波。

4.根据权利要求1或2所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，在所述OTS选通管两端施加的脉冲为梯形波或矩形波。

5.根据权利要求1或2所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，所述OTS选通管包括从上到下依次放置的第一电极层、硫系选通材料层和第二电极层。

6.根据权利要求5所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，所述硫系选通材料层的材料为：SiTe_x、CTe_x、BTe_x、GeTe_x、AlTe_x、GeSb_x、BiTe_x、AsTe_x、SnTe_x和BiTe_x中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，所述硫系选通材料层的材料为：SiTe_x、CTe_x、BTe_x、GeTe_x、AlTe_x、GeSb_x、BiTe_x、AsTe_x、SnTe_x、BiTe_x中至少一种化合物掺杂N、Sb、Bi和C中的至少一种元素所形成的混合物。

8.根据权利要求5所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，所述硫系选通材料层的材料为：SiTe_x、CTe_x、BTe_x、GeTe_x、AlTex、GeSb_xTe_y、GeSb_x、BiTe_x、AsTe_x、SnTe_x和BiTe_x中至少一种化合物掺杂Si元素所形成的混合物。

9.根据权利要求5所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层均为惰性电极材料。

10.根据权利要求9所述的OTS选通管的操作方法，其特征在于，所述惰性电极材料为W、TiW、Pt、Au、Ru、Al、TiN、Ta、TaN、IrO₂、ITO和IZO中的至少一种。