[发明专利]一种镀膜设备

说明书

本发明提供一种镀膜设备，涉及化学气相沉积技术领域。镀膜设备包括壳体、机械手腔体、反应室、气路组件和驱动组件；壳体与机械手腔体相连，壳体上接有柔性管道；反应室位于壳体内，反应室朝向机械手腔体的一侧设有进气通道；气路组件穿设于柔性管道内，并与柔性管道密封连接，气路组件位于反应室朝向机械手腔体的一侧；驱动组件与气路组件相连。镀膜设备将气路组件和机械手腔体设置在反应室的同一侧，不影响机械手取放反应室内的物品，在维护时仅需将壳体远离机械手腔体的一端打开，即可取出反应室内部的零件进行打磨清洗，有效地降低了维护的总耗时。此外，机械手不经过副反应产物聚集区，避免疏松的副反应产物掉落在晶圆表面，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种镀膜设备。

背景技术

MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)是在气相外延生长(Vapor Phase Epitaxy，简称VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

目前行业内的多腔室MOCVD设备，其反应室内部左侧为气路结构，中间为反应腔体，右侧为机械手取放晶圆组件，且反应室右侧与真空机械手腔体连接。

以碳化硅镀膜设备为例，其反应腔体内部的零件在多次镀膜后，表面被镀上了较厚的SiC等材料。该材料是不稳定的，会从零件表面脱落，然后随气流被带到晶圆表面，增加了SiC薄膜外延生长时的表面缺陷，从而影响成膜质量。因而，此时需要将反应腔内的零件拆卸下来进行清洗。

但是，现有的多腔室MOCVD设备的反应室在拆卸内部零件时，需要先拆卸掉反应腔体右侧的真空机械手腔体，然后才可以取出反应腔体内部的零件进行打磨清洗。待清理完已被镀上薄膜的零件后，再安装复原好右侧的真空机械手腔体。每次维护反应腔体都需拆装右侧的真空机械手腔体，导致维护的总耗时长。此外，反应腔体远离气路结构的一侧为副反应产物聚集区，且副反应产物结构疏松，在机械手取放晶圆的过程中容易掉落在晶圆上，导致晶圆表面产生缺陷。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种镀膜设备。

本发明提供如下技术方案：

一种镀膜设备，包括壳体、机械手腔体、反应室、气路组件和驱动组件；

所述壳体的一端与所述机械手腔体相连，所述壳体的侧壁上接有柔性管道；

所述反应室位于所述壳体内，所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧设有进气通道；

所述气路组件穿设于所述柔性管道内，并与所述柔性管道远离所述壳体的一端密封连接，所述气路组件位于所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧，所述气路组件与所述反应室抵接以通过所述进气通道连通至所述反应室内部；

所述驱动组件与所述气路组件相连，所述驱动组件用于驱使所述气路组件移动以将所述进气通道露出。

作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案，所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧设有卡口部以形成所述进气通道，所述气路组件朝向所述反应室的一侧设有卡接部；

所述驱动组件还用于驱使所述气路组件沿所述进气通道的轴向移动，以使所述卡接部与所述卡口部插接或脱离。

作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案，所述驱动组件包括安装底板、滑槽板、连接底板和直线驱动件；

所述滑槽板固设于所述安装底板上，所述滑槽板上开设有第一滑槽和第二滑槽，所述第一滑槽沿所述进气通道的轴向设置，所述第二滑槽与所述第一滑槽之间的夹角为钝角；

所述连接底板通过所述第一滑槽和所述第二滑槽与所述滑槽板滑动配合，所述连接底板与所述气路组件相连；