[发明专利]防串扰微显示阵列在审
| 申请号: | 202111596617.0 | 申请日: | 2021-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN114335060A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 岳大川 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/10 |
| 代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
| 地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 防串扰微 显示 阵列 | ||
本申请提供一种防串扰微显示阵列,包括衬底以及阵列排布在衬底上的若干LED发光器件,若干LED发光器件被若干个隔离沟槽分割成若干个独立的岛部,LED发光器件具有发光层和分布式布拉格反射层,分布式布拉格反射层位于发光层背离出光面的一侧,衬底上周期性地排列有复数个反光结构,反光结构位于隔离沟槽的底部,并延伸至LED发光器件底面的下缘,以使得从底面边缘出射的光束被反射到分布式布拉格反射层,相邻反光结构的边缘限定LED发光器件的出光开口。本申请根据LED发光器件的尺寸设计对应周期性排列的反光结构,将ISO台阶边缘被“照亮”发出的光反射到发光区域进而再出射,最终将出光范围限定在出光开口内,消除杂光干扰。
技术领域
本发明属于半导体微显示技术领域,特别涉及一种微显示阵列及微显示装置。
背景技术
Micro-LED(Micro Light Emitting Diode)显示技术是最新一代的显示技术,也是最近几年显示技术领域的研究热点。Micro-LED完全采用固态半导体制成技术生产,具有尺寸小、功耗低、反应速度快、对比度大、色彩饱和度高等优点,其像素尺寸多在百微米量级以下。
由于半导体微显示器件的每个LED器件都能够单独控制和关闭,使得其能够获得纯黑画面以及更好的对比度。然而在每个LED器件的发光区域,其发光和显示的效果并不均匀,其会呈现图1所示的显示效果,像素间ISO(Isolation)台阶及周边像素的ISO台阶会被LED像素发光区域发出的光串扰“照亮”,呈现出在正常发光区域的外围出现一环形发光区,这会影响显示效果,可能出现亮度不均(mura)等不良。
发明内容
本申请的目的在于解决现有技术中的微显示阵列的发光效果不均匀和存在环形干扰光问题。
为了实现上述发明的目的,本发明采用如下技术方案:一种防串扰微显示阵列,包括衬底以及阵列排布在所述的衬底上的若干LED发光器件,若干所述的LED发光器件被若干个隔离沟槽分割成若干个独立的岛部,所述的LED发光器件具有发光层和分布式布拉格反射层,所述的分布式布拉格反射层位于所述的发光层背离出光面的一侧,所述的衬底上周期性地排列有复数个反光结构,所述的反光结构位于所述的隔离沟槽的底部,并延伸至所述的LED发光器件底面的下缘,以使得从所述的底面边缘出射的光束被反射到所述的分布式布拉格反射层,相邻所述的反光结构的边缘限定所述的LED发光器件的出光开口。
在一个实施例中,所述的分布式布拉格反射层包括两种或两种以上的半导体或介质材料,且所述的分布式布拉格反射层的总厚度>1nm。
在一个实施例中,所述的分布式布拉格反射层的面积大于等于所述的发光层的面积。
在一个实施例中,所述的LED发光器件还具有连接所述的顶面和底面的多个侧表面,其中,所述的侧表面在出光方向上的投影落在所述的底面上形成宽度为W4的环形出光区,所述的反光结构延伸至该环形出光区的下方。
在一个实施例中,所述的反光结构具有向上凸出于所述的衬底表面的正向特征。
在一个实施例中,所述的反光结构具有圆弧面,该圆弧面的法向量指向与出光方向相反的方向。
在一个实施例中,所述的反光结构为山脊状,所述的反光结构的法向量分别指向相邻的两个LED发光器件。
在一个实施例中,所述的反光结构由有机材料、无机/有机叠层材料、有机/有机叠层材料或无机/无机叠层材料中的一种制成。
在一个实施例中,所述的反光结构由Ag、Al或不透明金属复合层材料中的一种或两种以上制成。
上述方案的优点是:本申请根据LED发光器件的尺寸设计对应周期性排列的反光结构,将ISO台阶边缘被“照亮”发出的光反射到发光区域进而再出射,最终将出光范围限定在出光开口内,从而消除杂光干扰。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于季华实验室,未经季华实验室许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111596617.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





