[发明专利]防串扰微显示阵列在审
| 申请号: | 202111596617.0 | 申请日: | 2021-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN114335060A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 岳大川 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/10 |
| 代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
| 地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 防串扰微 显示 阵列 | ||
1.一种防串扰微显示阵列,其特征在于,包括衬底(10)以及阵列排布在所述的衬底(10)上的若干LED发光器件(20),若干所述的LED发光器件(20)被若干个隔离沟槽(30)分割成若干个独立的岛部,所述的LED发光器件(20)具有发光层(21)和分布式布拉格反射层(22),所述的分布式布拉格反射层(22)位于所述的发光层(21)背离出光面的一侧,所述的衬底(10)上周期性地排列有复数个反光结构(11),所述的反光结构(11)位于所述的隔离沟槽(30)的底部,并延伸至所述的LED发光器件(20)底面(25)的下缘,以使得从所述的底面(25)边缘出射的光束被反射到所述的分布式布拉格反射层(22),相邻所述的反光结构(11)的边缘限定所述的LED发光器件(20)的出光开口。
2.根据权利要求1所述的防串扰微显示阵列,其特征在于:所述的分布式布拉格反射层(22)包括两种或两种以上的半导体或介质材料,且所述的分布式布拉格反射层(22)的总厚度>1nm。
3.根据权利要求1所述的防串扰微显示阵列,其特征在于:所述的分布式布拉格反射层(22)的面积大于等于所述的发光层(21)的面积。
4.根据权利要求1所述的防串扰微显示阵列,其特征在于:所述的LED发光器件(20)还具有连接所述的顶面(24)和底面(25)的多个侧表面(26),其中,所述的侧表面(26)在出光方向上的投影落在所述的底面(25)上形成宽度为W4的环形出光区,所述的反光结构延伸至该环形出光区的下方。
5.根据权利要求1所述的防串扰微显示阵列,其特征在于:所述的反光结构(11)具有向上凸出于所述的衬底(10)表面的正向特征。
6.根据权利要求5所述的防串扰微显示阵列,其特征在于:所述的反光结构(11)具有圆弧面,该圆弧面的法向量指向与出光方向相反的方向。
7.根据权利要求5所述的防串扰微显示阵列,其特征在于:所述的反光结构(11)为山脊状,所述的反光结构(11)的法向量分别指向相邻的两个LED发光器件(20)。
8.根据权利要求1所述的防串扰微显示阵列,其特征在于:所述的反光结构(11)由有机材料、无机/有机叠层材料、有机/有机叠层材料或无机/无机叠层材料中的一种制成。
9.根据权利要求8所述的防串扰微显示阵列,其特征在于:所述的反光结构(11)由Ag、Al或不透明金属复合层材料中的一种或两种以上制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





