[发明专利]一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质

权利要求书

1.一种TLC NAND闪存译码方法，其特征在于，包括：

采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果；

将所述读取结果之间进行同或得到初始译码结果；

根据所述初始译码结果得到TLC NAND所述第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值；

根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值；

根据所述修正LLR值对所述TLC NAND闪存进行译码。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，包括：

获取所述多次读取结果对应的各个分布态的位置信息；

根据所述位置信息对所述第一LLR值进行修正以得到修正LLR值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TLC NAND闪存中的一个物理页包括下页、中页和上页三个逻辑页；所述TLC NAND闪存包括E、P1-P7八个分布态；

当所述第一逻辑页为下页时；所述采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，包括：

在所述E态和所述P1态之间采用第一读电压进行读操作得到第一读取结果；在所述P4态和所述P5态之间采用第五读电压进行读操作得到第五读取结果。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，和，采用读电压对TLC NAND闪存第二逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，并行进行。

5.一种TLC NAND闪存译码装置，其特征在于，包括：

第一逻辑页读单元，用于采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果；

同或单元，用于将所述读取结果之间进行同或得到初始译码结果；

初始LLR值获取单元，用于根据所述初始译码结果得到TLC NAND所述第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值；

修正LLR值获取单元，用于根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值；

译码单元，用于根据所述修正LLR值对所述TLC NAND闪存进行译码。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述修正LLR值获取单元，包括：

位置信息获取单元，用于获取所述多次读取结果对应的各个分布态的位置信息；

修正LLR值获取子单元，用于根据所述位置信息对所述第一LLR值进行修正以得到修正LLR值。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述TLC NAND闪存中的一个物理页包括下页、中页和上页三个逻辑页；所述TLC NAND闪存包括E、P1-P7八个分布态；

当所述第一逻辑页为下页时；所述第一逻辑页读单元包括：

第一读单元，用于在所述E态和所述P1态之间采用第一读电压进行读操作得到第一读取结果；

第五读单元，用于在所述P4态和所述P5态之间采用第五读电压进行读操作得到第五读取结果。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

第二逻辑页读单元，用于采用读电压对TLC NAND闪存第二逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果；

并行运行单元，用于使所述修正LLR值获取单元和所述第二逻辑页读单元并行运行。

9.一种TLC NAND闪存译码系统，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1-4任意一项所述TLC NAND闪存译码方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理执行时实现如权利要求1-4任意一项所述TLC NAND闪存译码方法的步骤。