[发明专利]绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 202111587888.X | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116344604A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 侯信铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/205;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
1.一种绝缘栅双极型晶体管，包含：
P型III-V族氮化物层；
N型III-V族氮化物层，接触该P型III-V族氮化物层的一侧；
高电子迁移率晶体管，设置在该N型III-V族氮化物层上，其中该高电子迁移率晶体管包含：
第一III-V族氮化物层，该第一III-V族氮化物层设置在该N型III-V族氮化物层上；
第二III-V族氮化物层，设置在该第一III-V族氮化物层上；
源极，埋入该第二III-V族氮化物层和该第一III-V族氮化物层中，其中该源极包含N型III-V族氮化物主体和金属结；
漏极，接触该P型III-V族氮化物层的另一侧；以及
栅极，设置在该第二III-V族氮化物层上。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中该P型III-V族氮化物层包含InmGa1-mN，其中m≤1。
3.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中该N型III-V族氮化物层包含InnGa1-nN，其中n≤1。
4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，另包含氮化镓层，设置在该第一III-V族氮化物层上，其中该第一III-V族氮化物层包含GaN，该第二III-V族氮化物层包含AlxGa1-xN，其中x1，二维电子气形成在该氮化镓层中。
5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中该第二III-V族氮化物层包含N型掺质。
6.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中该第一III-V族氮化物层包含P型GaN，该第二III-V族氮化物层包含N型AlyGa1-yN，其中y1。
7.如权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管，另包含：
量子局限沟道，设置在该第一III-V族氮化物层和该第二III-V族氮化物层之间，该量子局限沟道包含未掺杂InqGa1-qN，其中q≤1；
未掺杂III-V族氮化物层，接触该量子局限沟道并且位于该量子局限沟道上方；以及
III-V族氮化物上盖层，覆盖该第二III-V族氮化物层。
8.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中该N型III-V族氮化物层中的掺质包含IV族元素，该P型III-V族氮化物层中的掺质包含II族元素。
9.一种绝缘栅双极型晶体管，包含：
P型III-V族氮化物层；
N型III-V族氮化物层，接触该P型III-V族氮化物层的一侧；
高电子迁移率晶体管，设置在该N型III-V族氮化物层上，其中该高电子迁移率晶体管包含：
第一III-V族氮化物层，该第一III-V族氮化物层设置在该N型III-V族氮化物层上；
第二III-V族氮化物层，设置在该第一III-V族氮化物层上；
源极，埋入该第二III-V族氮化物层和该第一III-V族氮化物层中，其中该源极完全由金属构成；
漏极，接触该P型III-V族氮化物层的另一侧；以及
栅极，设置在该第二III-V族氮化物层上。
10.如权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管，其中该P型III-V族氮化物层包含InmGa1-mN，其中m≤1。
11.如权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管，其中该N型III-V族氮化物层包含InnGa1-nN，其中n≤1。
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