[发明专利]二维氮化镓晶体的制备方法

权利要求书

1.一种二维氮化镓晶体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

S1、提供金属片，并清洗；所述金属片表面覆盖有贵金属膜，所述贵金属膜为金膜或铂膜，贵金属膜的厚度大于或等于100nm；

S2、加热融化镓金属，将熔融态的金属镓转移至金属片上；

S3、将金属片及熔融态的金属镓置于反应腔室中，并对反应腔室进行抽真空；

S4、加热反应腔室至恒定温度后，向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到金属镓表面，进行二维氮化镓晶体的生长；氮源为氮等离子体，恒定温度为600℃～1100℃；或，氮源为氨气，恒定温度大于或等于800℃；

所述步骤S4中，向反应腔室中通入氮源具体为：

向反应腔室中通入氮源，流量为0.1sccm～5sccm，通入时间为1s～20s；

关闭氮源，关闭时间大于通入时间；

重复上述步骤至少两次；

所述步骤S4后还包括：

通过机械剥离工艺，将二维氮化镓晶体从金属片上剥离。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属片为钨片。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：

将金属片使用去离子水冲洗后，放入清洗好的玻璃容器中；

先用乙醇超声清洗金属片，再用去离子水超声清洗，最后用氮气吹干金属片。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1前还包括：

先用去离子水超声清洗玻璃容器，再用丙酮超声清洗玻璃容器；

重复上述步骤，完成玻璃容器的清洗。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，加热融化镓金属的加热温度为30℃～2000℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮源为氮等离子体时，二维氮化镓晶体的厚度为1nm～15nm，所述氮源为氨气时，二维氮化镓晶体的厚度为1nm～30nm。