[发明专利]微弱光光谱测量器件和光谱仪

权利要求书

1.一种微弱光光谱测量器件，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底的上表面的至少两个探测单元，其中，每个所述探测单元包括：

光调制微纳结构单元，包括底板和设置在所述底板上的多个调制孔，多个所述调制孔排布成二维图形结构；

超导纳米线单光子探测器单元，包括至少一条超导纳米线，所述超导纳米线排布成二维图形结构，且所述超导纳米线的纵向投影穿插在多个所述调制孔之间。

2.根据权利要求1所述的微弱光光谱测量器件，其特征在于，多个所述探测单元包括至少两种结构参数的所述调制孔，和\或，包括至少两种二维图形结构的调制孔排布形式，和\或，至少两种二维图形结构的超导纳米线排布形式。

3.根据权利要求2所述的微弱光光谱测量器件，其特征在于，所述底板位于所述衬底的上表面，所述超导纳米线单光子探测器单元设置在所述底板的上表面。

4.根据权利要求2所述的微弱光光谱测量器件，其特征在于，所述底板与所述超导纳米线单光子探测器单元之间设置有缓冲层，且所述底板和所述超导纳米线单光子探测器单元，两者中的其中一者位于所述缓冲层的下表面，另一者位于所述缓冲层的上表面。

5.根据权利要求4所述的微弱光光谱测量器件，其特征在于，当所述底板位于所述缓冲层的下表面时，所述缓冲层的底部充满所述调制孔。

6.根据权利要求4所述的微弱光光谱测量器件，其特征在于，当所述超导纳米线单光子探测器单元位于所述缓冲层的下表面时，所述缓冲层的底部充满所述超导纳米线之间的空隙。

7.根据权利要求4～6任一项所述的微弱光光谱测量器件，其特征在于，所述缓冲层的材料为低折射率材料。

8.根据权利要求1所述的微弱光光谱测量器件，其特征在于，所述底板的材质包括硅、锗、锗硅材料、硅的化合物、锗的化合物、金属或III-V族材料，其中硅的化合物包括氮化硅、二氧化硅或碳化硅。

9.根据权利要求1所述的微弱光光谱测量器件，其特征在于，所述超导纳米线的材质包括氮化铌、铌钛氮、钨硅、钼硅或二硼化镁。

10.一种光谱仪，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的微弱光光谱测量器件。