[发明专利]温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统

权利要求书

1.一种温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统，其特征在于包括：助熔剂法氮化物单晶生长设备和升降机构，所述助熔剂法氮化物单晶生长设备包括可供氮化物单晶生长的生长腔室以及设置在所述生长腔室内的反应容器、第一加热机构和第二加热机构，

所述反应容器至少用于承载氮化物单晶生长所需的籽晶和/或衬底以及氮化物单晶生长所需的生长原料，所述第一加热机构和第二加热机构与所述反应容器相配合，所述第一加热机构至少用于在所述反应容器内部的第一区域形成第一温区，所述第二加热机构至少用于在所述反应容器内部的第二区域形成第二温区；所述升降机构与所述第一加热机构和第二加热机构中的至少一者传动连接，并至少用于驱使所述第一加热机构和第二加热机构中的至少一者沿指定方向升降，其中，所述指定方向为熔融态的生长原料的液面下降的方向。

2.根据权利要求1所述的生长系统，其特征在于：所述第一加热机构设置在第一水平位置处，所述第二加热机构设置在第二水平位置处，其中，所述第一加热机构和第二加热机构能够在所述升降机构的驱使下而使自身所处的水平位置发生改变，但所述第一水平位置始终高于第二水平位置，并且，所述第一温区的温度大于所述第二温区的温度。

3.根据权利要求2所述的生长系统，其特征在于：所述第一加热机构包括连续设置的第一发热体，所述第一发热体为环绕所述反应容器设置的环形结构。

4.根据权利要求2所述的生长系统，其特征在于：所述第一加热机构包括多个间隔设置的第一发热体，多个所述第一发热体与环绕所述反应容器设置，其中，多个所述第一发热体彼此独立设置，或者，多个所述第一发热体依次串联。

5.根据权利要求3或4所述的生长系统，其特征在于：所述第二加热机构包括连续设置的第二发热体，所述第二发热体为环绕所述反应容器设置的环形结构。

6.根据权利要求3或4所述的生长系统，其特征在于：所述第二加热机构包括多个间隔设置的第二发热体，多个所述第二发热体与环绕所述反应容器设置，其中，多个所述第二发热体彼此独立设置，或者，多个所述第二发热体依次串联。

7.根据权利要求6所述的生长系统，其特征在于：所述第一发热体和第二发热体均包括电阻丝。

8.根据权利要求1所述的生长系统，其特征在于还包括第一旋转驱动机构，所述第一旋转驱动机构与所述第一加热机构和/或第二加热机构传动连接，并至少用于驱使所述第一加热机构和/或第二加热机构环绕所述反应容器转动或自旋转。

9.根据权利要求1所述的生长系统，其特征在于：所述助熔剂法氮化物单晶生长设备包括保温容器，所述保温容器内形成所述的生长腔室，以及，所述保温容器还与第二旋转驱动机构传动连接，并能够在所述第二旋转驱动机构的驱使下自旋转。

10.根据权利要求1所述的生长系统，其特征在于还包括氮气供给机构，所述氮气供气机构与所述生长腔室相连通，并至少用于向所述生长腔室内通入氮气。