[发明专利]一种Micro LED芯片的转移方法和显示设备

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro LED芯片的转移方法和显示设备。转移方法包括：提供具有多个锡柱的阵列的临时基板，将Micro LED芯片倒置于锡柱顶端，使锡柱卡在Micro LED芯片P型焊盘和N型焊盘之间，并使Micro LED芯片与锡柱完成键合；将Micro LED芯片衬底剥离后采用印章吸附，调节温度，锡柱转化为灰锡后与Micro LED芯片脱离，再将表面吸附有Micro LED芯片的印章转移至目标基板上；锡柱的材料包括白锡和/或锡合金。该方法可减少转移过程中微器件的损伤，且操作难度低，良率高，转移后Micro LED芯片上无残留。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro LED芯片的转移方法和显示设备。

背景技术

Micro LED又称微米发光二极管、微型LED。Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。Micro LED作为新一代显示技术，相比于LCD、OLED技术，其具有亮度更高，发光效率更好，以及具有低功耗和长寿命等优点。

在微型发光二极管的制备工艺流程过程中，需要将数以千万计的Micro LED从生长基板上剥离下来，然后将这些Micro LED转移到目标基板上。巨量转移作为技术突破关键点，其流程主要包含激光剥离、巨量转移以及检测修复过程。

目前现有技术中的巨量转移方式包括静电吸附技术，流体装配技术，滚轮压印技术，凡得瓦力转印技术和镭射转移技术等。

但是，以上技术存在相对不够成熟、转移难度大、良率较低等问题，无法达到量产的需求。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种Micro LED芯片的转移方法，通过将Micro LED芯片倒置于锡柱的顶端，使锡柱卡在Micro LED芯片的P型焊盘和N型焊盘之间，并使MicroLED芯片与锡柱完成键合，之后在特定温度下锡柱转化为粉末状灰锡，即可实现锡柱与Micro LED芯片脱离，这样不仅能够在转移过程中减少微器件的损伤，提高良率，而且具有容易操作，难度小，以及转移后Micro LED芯片上无残留等优点。

本发明的第二目的在于提供一种显示设备。该显示设备具有制备成本低、操作难度小、良率高等优点。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

本发明提供了一种Micro LED芯片的转移方法，包括如下步骤：

(a)、提供具有多个锡柱的阵列的临时基板，然后将所述Micro LED芯片倒置于所述锡柱的顶端，使所述锡柱卡在所述Micro LED芯片的P型焊盘和N型焊盘之间，并使所述Micro LED芯片与所述锡柱完成键合；

(b)、将所述Micro LED芯片的衬底剥离后采用印章对其进行吸附，然后调节温度，锡柱转化为粉末状灰锡后与所述Micro LED芯片脱离，再将表面吸附有所述Micro LED芯片的印章转移至目标基板上，得到表面具有多个Micro LED芯片的目标基板；

其中，所述锡柱的材料包括白锡和/或锡合金。

优选地，所述锡合金中除锡以外的金属元素包括铅、锑、铋、铁、镉和铝中的至少一种。

优选地，步骤(a)中，所述锡柱的宽度与所述Micro LED芯片的P型焊盘和N型焊盘之间的宽度之差小于2μm。

优选地，步骤(a)中，通过图形化处理得到所述具有多个锡柱的阵列的临时基板；

优选地，所述图形化处理具体包括如下步骤：在所述临时基板的表面涂覆光刻胶后进行曝光和显影，然后采用镀膜技术在其表面形成锡膜；再将光刻胶以及在所述光刻胶表面的锡膜剥离；