[发明专利]具有金属栅结构的Ga2

权利要求书

1.一种具有金属栅结构的Ga₂O₃/AlGaN/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的探测器结构为以下两种：

第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；势垒层中部上覆盖有吸收层；吸收层上为金属层；

或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；势垒层中部上覆盖有吸收层；吸收层上表面和侧面均覆盖有第二绝缘层；第二绝缘层的上表面为金属层；

所述的第一种或第二种日盲紫外探测器中，势垒层的中部开有凹槽，凹槽内的下部为金属栅，金属栅上覆盖有第一绝缘层；

吸收层两侧的势垒层部分暴露的上表面分别设置有阴极电极和阳极电极。

2.如权利要求1所述的具有金属栅结构的Ga₂O₃/AlGaN/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的第一种日盲紫外探测器中，金属层为图形化的金属层；图形化的金属层部分投影面积为吸收层的上表面面积的40％～80％。

3.如权利要求1所述的具有金属栅结构的Ga₂O₃/AlGaN/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的第二种中的第二绝缘层为图形化的绝缘层；图形化的第二绝缘层的投影面积为吸收层的上表面面积的40％～80％。

4.如权利要求1所述的具有金属栅结构的Ga₂O₃/AlGaN/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的图形化的金属层和第二绝缘层中的图形优选为条形、矩形、圆形、圆环形或矩阵分布。

5.如权利要求1所述的具有金属栅结构的Ga₂O₃/AlGaN/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述吸收层的投影面积为势垒层上表面面积的40％～80％；所述的势垒层中凹槽的投影面积为势垒层表面积的5％～30％。

6.如权利要求1所述的具有金属栅结构的Ga₂O₃/AlGaN/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的金属层的厚度为0.1nm～20nm；

所述的第二绝缘层厚度为0.005μm～0.5μm。

7.如权利要求1所述的具有金属栅结构的Ga₂O₃/AlGaN/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的衬底的材质具体为硅片、蓝宝石或金刚石；

所述的缓冲层的材质具体为ZnO、AlN或Al₂O₃；

所述的沟道层的材质为未进行掺杂的GaN，其厚度为0.1μm～10μm；

所述的势垒层的材质为未进行掺杂的AlGaN，Al组分的范围为0.1～0.6，其厚度为0.01μm～0.5μm；

所述的金属栅的材质为Ni、Au、Ag、Pt、Cu、Ti、Pd，其厚度为0.005μm～0.5μm；

所述的第一绝缘层的材质为Si₃N₄、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂、Ta₂O₅、AlN、LiF，其厚度为0.005μm～0.5μm；

所述的吸收层的材质为未进行掺杂的Ga₂O₃，其厚度为0.005μm～0.5μm；

所述的阴极电极、阳极电极与金属层的材质相同或不同，均为Au、Ag、Ni、ITO、Ni/Au、Ti/Au或Pt/Au；

所述的第二绝缘层的材质为非掺杂的SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄、HfO₂、Ta₂O₅、AlN、LiF、金刚石或PMMA。