[发明专利]一种PPM电容器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111561856.2 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN114335342A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 汤志林;王卉;付永琴;曹子贵 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L49/02 分类号: H01L49/02;H01L27/01;H01L27/108
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 201203 上海市浦东新区中*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 ppm 电容器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种PPM电容器,其特征在于,包括:

衬底,所述衬底上形成有支撑层;

PIP电容结构,包括第一极板、第一介电层及第二极板,所述第一极板位于所述衬底上并包裹所述支撑层以使所述第一极板呈凸字形,所述第一介电层及所述第二极板依次位于所述第一极板的凸顶面上;

第二介电层,位于所述第二极板上且覆盖所述第二极板的部分顶面;

第三极板,位于所述第二介电层上。

2.如权利要求1所述的一种PPM电容器,其特征在于,还包括:

介质层,位于所述衬底上并覆盖所述PIP电容结构及所述第三极板;

金属布线层,位于所述介质层上,且通过电连接件与所述第一极板、所述第二极板及所述第三极板电性连接。

3.如权利要求1所述的一种PPM电容器,其特征在于,所述支撑层的高度为

4.如权利要求1所述的一种PPM电容器,其特征在于,支撑层包括多个间隔排列的支撑柱,所述支撑柱包括多晶硅层及覆盖所述多晶硅层的绝缘层。

5.一种PPM电容器的制备方法,其特征在于,包括:

提供衬底,在所述衬底上形成支撑层,所述支撑层覆盖部分所述衬底;

在所述衬底上形成PIP电容结构,所述PIP电容结构包括第一极板、第一介电层及第二极板,所述第一极板位于所述衬底上并包裹所述支撑层以使所述第一极板呈凸字形,所述第一介电层及所述第二极板依次覆盖所述第一极板的凸顶面上;

在所述第二极板上形成第二介电层,所述第二介电层覆盖所述第二极板的部分顶面;

在所述第二介电层上形成第三极板,所述第三极板覆盖所述第二介电层。

6.如权利要求5所述的一种PPM电容器的制备方法,其特征在于,在形成所述第二介电层之前,形成所述PIP电容结构之后,还包括:

在所述衬底上形成第一介质层,所述第一介质层覆盖所述PIP电容结构及所述衬底;

对所述第一介质层进行平坦化工艺,直至露出所述第二极板的上表面。

7.如权利要求6所述的一种PPM电容器的制备方法,其特征在于,形成所述第二介电层及所述第三极板的步骤包括:

在所述第一介质层上依次形成第二介电层和第三极板,所述第二介电层覆盖所述第一介质层及所述第二极板,所述第三极板覆盖所述第二介电层;

刻蚀除去部分所述第二介电层及所述第三极板,剩余的所述第二介电层覆盖所述第二极板的部分顶面,剩余的所述第三极板覆盖所述第二极板。

8.如权利要求7所述的一种PPM电容器的制备方法,其特征在于,形成所述第三极板之后,还包括:

刻蚀所述第一介质层,形成露出所述第一极板的台阶面的第一开口;

在所述第一开口内填充第一导电材料,以形成插塞;

在所述第一介质层上形成第二介质层,所述第二介质层覆盖所述第三极板、所述第二极板及所述第一介质层,所述第二介质层与所述第一介质层组成介质层;

刻蚀所述第二介质层以形成分别露出所述第二极板、第三极板和所述插塞的第二开口;

在所述第二介质层上形成第二导电材料,所述第二导电材料还填充所述第二开口,所述第二导电材料位于所述第二开口内的部分构成若干电连接件,所述第二导电材料位于所述第二介质层上的部分构成金属布线层,所述金属布线层通过若干所述电连接件与所述第一极板、第二极板和第三极板电性连接。

9.如权利要求5所述的一种PPM电容器的制备方法,其特征在于,所述衬底具有电容区和存储区,所述存储区内形成有栅极结构,所述支撑层形成在所述电容区内,且所述支撑层与所述栅极结构同步形成。

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