[发明专利]基片处理装置

说明书

本发明提供一种基片处理装置。该基片处理装置包括：能够将基片收纳于内侧的处理容器；在处理容器的内侧的保持位置保持基片的保持部；流体供给部，其具有向处理容器的内侧释放处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在供给开口部与保持位置之间与供给开口部相对，对来自供给开口部的处理流体进行引导以使其扩展到比供给开口部的开口面积大的面积的范围。根据本发明，有利于稳定地进行基片的干燥处理。

技术领域

本发明涉及基片处理装置。

背景技术

已知有使用超临界状态的处理流体来使附着有处理液的半导体晶片等基片干燥的技术(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-251550号公报。

发明内容

发明要解决的问题

在使超临界状态的处理流体从小直径的开口猛烈地喷出的情况下，有时会产生处理流体的涡流，或者产生处理流体的滞留。在这样的情况下，未必能够高效地将处理流体引导到基片(特别是干燥对象面)的周围，其结果是，有时基片的干燥处理需要长时间。另外，由于从开口猛烈地喷出的处理流体被吹向基片，有时液体会非意愿地从基片飞散。

因此，无法稳定地进行基片表面整体的干燥处理。

本发明提供有利于稳定地进行基片的干燥处理的技术。

用于解决问题的技术手段

本发明的一个方式涉及一种基片处理装置，其使用超临界状态的处理流体来使附着有液体的基片干燥，其包括：能够将基片收纳于内侧的处理容器；在处理容器的内侧的保持位置保持基片的保持部；流体供给部，其具有向处理容器的内侧释放处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在供给开口部与保持位置之间与供给开口部相对，对来自供给开口部的处理流体进行引导以使其扩展到比供给开口部的开口面积大的面积的范围。

发明效果

根据本发明，有利于稳定地进行基片的干燥处理。

附图说明

图1是表示基片处理装置的一例的俯视图。

图2是表示干燥单元和供给单元的具体构成例的图。

图3是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。

图4是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。

图5是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。

图6是表示第1实施方式的干燥单元的一例的主视图。

图7是表示第1实施方式的干燥单元的一例的主视图。

图8是从上方观察第1实施方式的干燥单元的一例的截面的图。

图9是表示供给引导部件的第1结构例的放大截面图。

图10是表示供给引导部件的第2结构例的放大截面图。

图11是表示供给引导部件的第3结构例的放大截面图。

图12是表示供给引导部件的第4结构例的放大截面图。

图13是表示供给引导部件的第5结构例的放大截面图。

图14是表示供给引导部件的第6结构例的放大截面图。

图15是表示供给引导部件的第7结构例的放大截面图。

图16是从上方观察第3实施方式的干燥单元的一例的截面的图。