[发明专利]基片处理装置在审
申请号: | 202111555797.8 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN114695182A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 梅﨑翔太;林田贵大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基片处理装置,其使用超临界状态的处理流体来使附着有液体的基片干燥,其特征在于,包括:
能够将所述基片收纳于内侧的处理容器;
在所述处理容器的内侧的保持位置保持所述基片的保持部;
流体供给部,其具有向所述处理容器的内侧释放所述处理流体的供给开口部;和
供给引导部件,其在所述供给开口部与所述保持位置之间与所述供给开口部相对,对来自所述供给开口部的所述处理流体进行引导以使其扩展到比所述供给开口部的开口面积大的面积的范围。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给引导部件具有叶片形状。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给引导部件对来自所述供给开口部的所述处理流体进行引导以使其在高度方向上扩展。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给引导部件对来自所述供给开口部的所述处理流体进行引导以使其在水平方向扩展。
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述流体供给部具有与所述供给开口部连接的供给凹部,所述供给凹部的开口面积随着远离所述供给开口部而逐渐增大,
所述供给引导部件的至少一部分位于所述供给凹部中。
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给引导部件设置成可动,以能够改变来自所述供给开口部的所述处理流体的引导的状态。
7.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给引导部件将配置于所述保持位置的所述基片从水平方向的外侧局部地包围。
8.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给开口部设置有多个,
多个所述供给开口部包含在水平方向上设置于相互不同的位置的2个以上的供给开口部,
所述供给引导部件具有与在水平方向上设置于相互不同的位置的2个以上的供给开口部相对的一体结构。
9.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给开口部设置有多个,
多个所述供给开口部包含在高度方向上设置于相互不同的位置的2个以上的供给开口部,
所述供给引导部件具有与在高度方向上设置于相互不同的位置的2个以上的供给开口部相对的一体结构。
10.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给引导部件设置有多个,
多个所述供给引导部件包含:
在从所述供给开口部去往所述保持位置的方向上设置于第1配置位置的1个以上的所述供给引导部件;和
在从所述供给开口部去往所述保持位置的方向上设置于第2配置位置的1个以上的所述供给引导部件,其中,所述第2配置位置是与所述第1配置位置不同的位置。
11.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述供给引导部件设置有多个,
配置于所述保持位置的所述基片在第1水平方向上与所述供给开口部隔开间隔,
多个所述供给引导部件包含在与所述第1水平方向成直角的第2水平方向上排列的2个以上的供给引导部件,
在所述第2水平方向上排列的2个以上的供给引导部件,将配置于所述保持位置的所述基片从水平方向的外侧局部地包围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造