[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202111555110.0 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN114300481A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 王贤强;颜文晶;廖中亮;陈杰坤;罗甜;林丽玲 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/423;H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底和设置于所述衬底一侧的晶体管,所述晶体管包括:
有源层,包括沟道区以及在第一方向上分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区;
栅极,位于所述有源层背离所述衬底的一侧,且所述栅极在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影至少部分交叠;
所述沟道区包括第一区、及在所述第一区上沿所述第一方向设置的第二区,所述第二区及所述第一区在所述衬底上正投影与所述栅极在所述衬底上正投影相交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源区和所述漏区在第二方向上与所述第一区交叠,所述源区和所述漏区在第二方向上与所述第二区错位。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一区在所述第一方向上的宽度大于所述第二区在所述第一方向上的宽度。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述源区及所述漏区在所述第一方向上的宽度等于所述第一区在所述第一方向上的宽度。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二区在所述衬底上的正投影的形状包括矩形、方形及梯形。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,至少两个所述第二区分设于所述第一区在所述第一方向上的两侧。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极包括位于所述有源层一侧的第一部及与所述沟道区相交叠的第二部,所述第二部沿所述第一方向延伸,所述第二区在所述衬底上正投影和所述第一部在所述衬底上的正投影错位设置,且所述第二区在所述衬底上正投影和所述第二部在所述衬底上的正投影交叠设置。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二部在所述衬底上正投影在所述第一方向上沿弯折路径延伸成型。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述沟道区沿所述弯折路径延伸成型。
10.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述源区及所述漏区沿所述弯折路径延伸成型。
11.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
源电极,位于所述有源层背离所述衬底的一侧,所述源电极包括与所述源区相互交叠的源极线,所述源极线沿所述弯折路径延伸成型;和/或
漏电极,位于所述有源层背离所述衬底的一侧,所述漏电极包括与所述漏区相互交叠的漏极线,所述漏极线沿所述弯折路径延伸成型。
所述源区及所述漏区中的源电极及漏电极在所述沟道区内的部分沿所述弯折路径延伸成型。
12.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述弯折路径的形状包括曲线、折线。
13.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一区及所述第二区在所述第一方向上的宽度之和大于所述源区及所述漏区中至少一者在所述第一方向上的宽度。
14.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至13任一项所述的阵列基板。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求14所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的