[发明专利]输送装置在审
申请号: | 202111544923.X | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114695218A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 堂込公宏;北正知 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输送 装置 | ||
本发明能够在通过将真空输送模块连结而在真空输送系统中增加处理模块的最大搭载数量的情况下,抑制与真空输送模块的连结相伴的占地面积的增大,并且在输送时使基片的缺口方向一致。本发明的输送装置包括:第一真空输送模块;第一输送机器人;第二真空输送模块;第二输送机器人;筒状连结模块;可旋转地安装在所述筒状连结模块上的晶片支承部,其能够支承所述晶片;和从所述晶片支承部向外侧延伸的至少3个环支承部件,其能够支承至少1个环部件。
技术领域
本发明涉及一种输送装置。
背景技术
专利文献1中公开了对基片进行处理的基片处理装置和处理方法。作为装置结构的一个例子,公开了使搭载有处理模块的2个传送模块连结来进行基片处理的结构。另外,专利文献1中公开了设置旋转模块(旋转机构),根据需要使基片旋转的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利第10431480号说明书
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术提供一种输送装置,其能够在通过将真空输送模块连结而在真空输送系统中增加处理模块的最大搭载数量的情况下,抑制与真空输送模块的连结相伴的占地面积(footprint)的增大,并且在输送时使基片的缺口方向一致。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方式提供一种输送装置,其包括:第一真空输送模块;配置在所述第一真空输送模块内的第一输送机器人,其能够同时或分别输送晶片和至少1个环部件,所述至少1个环部件具有比所述晶片的直径大的内径;第二真空输送模块;配置在所述第二真空输送模块内的第二输送机器人,其能够同时或分别输送所述晶片和所述至少1个环部件;配置在所述第一真空输送模块与所述第二真空输送模块之间的筒状连结模块,所述第一真空输送模块、所述第二真空输送模块和所述筒状连结模块沿着第一方向排列,所述筒状连结模块在所述第一方向上具有第一长度,所述第一长度小于所述晶片的直径;可旋转地安装在所述筒状连结模块上的晶片支承部,其能够支承所述晶片;和从所述晶片支承部向外侧延伸的至少3个环支承部件,其能够支承所述至少1个环部件。
发明效果
采用本发明,能够在通过将真空输送模块连结而在真空输送系统中增加处理模块的最大搭载数量的情况下,抑制与真空输送模块的连结相伴的占地面积的增大,并且在输送时使基片的缺口方向一致。
附图说明
图1是表示本实施方式的晶片处理装置的结构的概要的平面图。
图2是示意性地表示本实施方式的模块的结构的概要的纵截面图。
图3是示意性地表示本实施方式的通路模块的结构的概要的立体图。
图4是表示旋转机构的结构的一个例子的概略说明图。
图5是表示在旋转机构中在边缘环支承面上载置有直径不同的2种边缘环的状态的概略说明图。
附图标记说明
1晶片处理装置,50传送模块,55通路模块,56a、56b旋转机构,80a第一输送机构,80b第二输送机构,105基片支承部,108边缘环支承部,W晶片。
具体实施方式
在半导体器件的制造工艺中,使收纳有半导体晶片(下面,简称为“晶片”)的处理模块的内部成为减压(真空)状态,对该晶片进行各种处理工序。这些处理工序在具有多个处理模块的基片处理装置(下面,也记载为晶片处理装置)中进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造