[发明专利]一种太阳能电池组件以及制备方法在审
申请号: | 202111544477.2 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114203835A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 穆希;李西军 | 申请(专利权)人: | 西湖大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 范继晨 |
地址: | 310024 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 以及 制备 方法 | ||
本公开实施例提供一种太阳能电池组件以及制备方法,所述太阳能电池组件包括衬底层,在所述衬底层上从下到上依次设置第一金属氧化物层、第一金属层以及第二金属氧化物层,所述第一金属氧化物层、所述第一金属层以及所述第二金属氧化物层通过选择不同的种类和厚度以实现所述太阳能电池组件呈现预定的颜色。本公开实施例通过膜层结构设计不仅可以实现客户对于彩色组件色彩丰富的要求,同时还可以取代彩色胶片,生产成本低廉还实现了厂家低成本的规模化生产。
技术领域
本公开涉及一种太阳能装置,特别地涉及一种太阳能电池组件以及制备方法。
背景技术
目前太阳能薄膜电池组件(CIGS)的外观改变都通过在封装过程中更换彩色胶片来实现。但目前彩色胶片不仅颜色单一价格高昂,无法满足客户的个性化需求。同时,不同供应商的胶片甚至不同批次之间,都会产生无法接受肉眼可见色差,远不能满足市场的需求。
发明内容
为了解决上述现有技术中存在的问题,本公开实施例提供一种太阳能电池组件,其包括衬底层,在所述衬底层上从下到上依次设置第一金属氧化物层、第一金属层以及第二金属氧化物层,所述第一金属氧化物层、所述第一金属层以及所述第二金属氧化物层通过选择不同的种类和厚度以实现所述太阳能电池组件呈现预定的颜色。
在一些实施例中,所述衬底层包括玻璃基板,在所述玻璃基板上依次设置Mo层、CIGS层以及绝缘层。
在一些实施例中,所述第一金属氧化物层和/或所述第二金属氧化物层通过单一的氧化物制成或者通过多个氧化物形成组合层的结构。
在一些实施例中,所述氧化物是SiOx、ZrOx、ZnSnOx、ITO、AZO、SnO2中的至少一种,所述第一金属氧化物层和/或所述第二金属氧化物层的厚度为 100.0-400.0nm。
在一些实施例中,所述第二金属氧化物层的厚度大于所述第一金属氧化物层的厚度。
在一些实施例中,所述第一金属层采用钛、银、铝、铜中的至少一种,所述第一金属层的厚度为5.0-15.0nm。
在一些实施例中,在所述第一金属层的上侧和/或下侧选择性地设置第二金属层和第三金属层,所述第二金属层和/或所述第三金属层的厚度为 0-1.5nm。
在一些实施例中,所述第一金属层位于所述第二金属层和所述第三金属层之间,其厚度大于所述第二金属层和所述第三金属层的厚度。
在一些实施例中,包括设置保护层,所述保护层的厚度为5.0-50.0nm。
另一方面,本公开实施例提供一种太阳能电池组件的制备方法,其包括以下步骤:将预定尺寸的玻璃基片清洗干净,并依次镀制Mo层、CIGS层以及缓冲层以形成衬底层;将所述衬底层传送至真空镀膜腔室中,通过沉积方式依次设置第一金属氧化物层、第一金属层、第二金属氧化物层,通过调整所述第一金属氧化物层、所述第一金属层以及所述第二金属氧化物层的种类和厚度实现所述太阳能电池组件呈现预定的颜色。
本公开实施例通过膜层结构设计不仅可以实现客户对于彩色组件色彩丰富的要求,同时还可以取代彩色胶片,生产成本低廉还实现了厂家低成本的规模化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例的太阳能电池组件的结构示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西湖大学,未经西湖大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111544477.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金属反射镜的制备方法以及金属反射镜
- 下一篇:一种智能洗车机烘干系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的